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Mn4+--掺杂锂钒氧化物的合成及其电化学性能

陈一维张颖汪大云韩恩山

材料研究学报

以LiOH ? H2O、NH4VO3和Mn(CH3COO)2 4H2O为原料, 以柠檬酸(C6H8O7 ? H2O)为络合剂, 用凝胶溶胶法按xLiV3O8 yLiMn2O4(x:y=1:0, 4:1, 8:1, 12:1, 16:1)合成出锂离子电池正极材料Mn4+--LiV3O8, 并对其结构和电化学性能进行了研究。结果表明, 用该法制备的样品具有良好的层状晶体结构和良好的充放电性能。 当x : y = 12 : 1时, 在1.8--3.8 V范围内以0.1 C 倍率循环时, 首次放电比容量高达387.9 mAh/g, 比未掺杂Mn4+时(299.9 mAh/g)提高了29.3%。经过30次循环后, 放电比容量仍保持为376.4 mAh/g, 充放电效率维持在97%以上。

关键词: 无机非金属材料 , lithium-ion battery cathode material , doping , cyclic voltammogram , sol-gel method

MnSe/Ti薄膜电沉积制备及其表征

李文坡 , 李春焕 , 马斯 , 谢昭明 , 张胜涛

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.11.026

在钛电极表面上,采用电化学方法在0.lmol/L MnSO4和0.002mol/L SeO2的溶液中沉积硒化锰(MnSe)薄膜.循环伏安实验结果表明在-1.60~-1.70V电位范围易发生Mn和Se共沉积.然后采用XRD、SEM及EDS等研究沉积电位分别在-1.55、-1.60、-1.65和-1.70V时得到薄膜的特性,结果表明上述选定的电位不影响沉积层立方结构优先沿(200)晶面向;不同电位对沉积层形貌及化学计量数有显著影响.控制电位可以沉积得到不同特征的MnSe薄膜.

关键词: MnSe , 循环伏安法 , 恒电位 , 共沉积

聚对苯撑导电膜的合成及其电化学性能

梁成浩 , 陈婉 , 黄乃宝

材料科学与工程学报

本文采用电化学循环伏安法制备得到聚对苯撑(PPP)导电膜,通过FTIR、XPS、四探针、交流阻抗(EIS)等手段对其结构及电性能进行表征,并考察了电化学条件与聚对苯撑膜的电化学性能之间的关系.研究表明,合成的PPP膜的平均聚合度为10.8,电导率在2.0~5.0S/cm范围内.于0.6V恒电位10min后,PPP膜的掺杂量可达25%.在0~1.0V电位范围内,PPP膜具有良好的电化学氧化还原性.交流阻抗的进一步研究表明,随着外加电位的正移,聚对苯撑膜的掺杂程度提高,膜的Rct由0V的329.7Ωcm2降低至0.6V的15.60Ωcm2,Cdl由0V的1.164μFcm-2增至0,6V的172.7μF cm-2.膜反应电阻和双电层电容的变化表明PPP膜在掺杂过程中形成开放结构,便于溶液中的离子与溶剂交换.

关键词: 电化学合成 , 聚对苯撑膜 , 循环伏安 , 交流阻抗

n型Bi-Te-Se温差电材料溶液体系的电沉积过程研究

杨梦倩 , 神政武 , 刘晓清 , 王为

表面技术

目的:研究硫酸体系中元素铋、碲和硒的电沉积行为,为电沉积制备n型Bi2 Te3-y Sey 温差电材料提供理论参考。方法采用电化学循环伏安测试技术,对硫酸溶液体系中铋、碲、硒三种元素的电沉积及不同元素间的共沉积过程进行研究。结果纯铋硫酸溶液体系中,Bi3+还原成单质铋的电化学反应是分步进行的,游离态和络合态的铋离子先后发生还原反应。纯碲硫酸溶液体系中,HTeO2+以吸附态和游离态两种形式先后发生还原反应。纯硒硫酸溶液体系中,溶液中的H2 SeO3也通过分步还原反应生成硒单质。在Bi-Te-Se三元硫酸溶液体系中,Bi3+的浓度和基材对电沉积过程有显著影响,Bi-Te-Se化合物对电沉积过程具有促进作用。结论在Bi-Te-Se三元硫酸溶液体系中,Se,Te和Bi元素可依次在阴极表面发生还原反应而实现共沉积,从而制备出n型Bi-Te-Se温差电材料。

关键词: 电沉积过程 , 循环伏安 , n型Bi-Te-Se温差电材料

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