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用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响

祝莹莹 , 邓文 , 孙顺平 , 江海峰 , 黄宇阳 , 曹名洲 , 熊良钺

稀有金属材料与工程

测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.

关键词: TiAl合金 , d-d电子相互作用 , 缺陷 , 正电子湮没技术

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