张三洋
,
沈鸿烈
,
魏青竹
,
倪志春
,
邢正伟
,
姚函妤
,
吴斯泰
人工晶体学报
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化.发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50％左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41％和0.92％.这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象.
关键词:
光致衰减效应
,
晶硅太阳电池
,
掺镓晶硅
,
少子寿命
,
衰减率
