张俊峰
,
吴隽
,
龙晓阳
,
祝柏林
,
李涛涛
,
姚亚刚
人工晶体学报
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol% V2O5(ZnO∶V)薄膜,研究了O2/(O2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响.研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中.ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(VO)和间隙锌(Zni)杂化形成的复合体,两者比例随O2/(O2+Ar)流量比而变化.
关键词:
ZnO∶V薄膜
,
射频磁控溅射
,
掺氧量
,
缺陷态
董恒平
,
陈坤基
,
李伟
,
孙正凤
,
黄敏
,
段欢
,
曹燕
,
王友凤
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.22.006
利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNx Oy)薄膜.通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450～600nm的较宽波长范围内连续可调.对比a-SiNx薄膜和a-SiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态.由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65 eV处的禁带中.并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关.
关键词:
非晶氮氧化硅薄膜
,
可调光致发光
,
缺陷态
