邓志康
,
邓京兰
,
王继辉
,
黄志强
玻璃钢/复合材料
界面缺陷对复合材料的性能有着显著的影响,基于弹性力学以及能量原理基本理论,利用基于界面上应力连续而位移有一定突变的无厚度弹簧模型,对含界面缺陷的材料性能进行了探究.得出界面的非完善参数、纤维相体积分数对材料的纵向与横向弹性模量、泊松比以及应力的影响规律.并将计算结果与完善界面、开孔的经典结果以及实验数据进行了对比验证.计算结果表明,利用非完善界面参数预测含缺点界面的材料性能并进行应力分析比利用完善界面模型计算的结果更精确.
关键词:
界面缺陷
,
弹性体
,
非完善界面
,
杨氏模量
,
泊松比
,
能量法
,
数值分析
杨荣国
,
周亮
合成材料老化与应用
本文以TiCl4为前驱体,以FeCl3为原料,制备掺杂铁量不等纳米TiO2样品,并通过XRD、XRF、HR-TEM、STEM EDS-Mapping等方法对样品进行表征和分析.实验结果表明,随着掺铁量的增加,TiO2晶格畸变显著增大,晶体的缺陷逐渐由点缺陷、线缺陷向面缺陷发展,发现Fe3+掺杂量为0.01％时,样品对紫外-可见光吸收边带值最佳,纳米TiO2的光催化活性也达到最佳.
关键词:
TiO2
,
Fe3+掺杂
,
缺陷
,
晶格畸变
,
吸收边带
李建军
,
郝维昌
,
许怀哲
,
王天民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.012
利用溶胶-凝胶法制备了不同组分的Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO纳米颗粒, 并通过透射电子显微镜、 X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和振动样品磁强计对其结构和磁性进行了系统的研究. 结果表明, 当Li掺杂比例在7%以下时, Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO纳米颗粒仍具有很好的ZnO六角纤锌矿结构, 但随着Li掺杂量的增加, 晶格常数a和c值略有减小; Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO的室温铁磁性随x的增大而显著增强. 当Li掺杂量达到9%时, 在Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO纳米颗粒的XRD谱中检测出第二相的LiCoO_2団簇, 样品的铁磁磁化强度明显下降. 表征结果显示Li掺入Zn_(0.95)Co_(0.05)O的反应过程可以分为3个阶段. 前两个阶段分别在材料中引入了Li′_(Zn)深能级缺陷和Li~+填隙离子, 第三个阶段则产生了LiCoO_2第二相结构. 样品铁磁性的变化与Li掺杂引入的这些缺陷和第二相有关, 可由束缚磁极化子(BMP)模型解释.
关键词:
Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO
,
稀磁半导体
,
缺陷
,
铁磁耦合机制
程基宽
,
高积强
,
刘军林
,
蒋仙
,
杨建峰
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长.用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷.结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多.活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率.
关键词:
缺陷
,
PVT
,
SiC晶体
,
附加碳源
徐天莹
,
俞佳枫
,
张继新
,
徐恒泳
膜科学与技术
doi:10.16159/j.cnki.issn1007-8924.2015.02.006
利用钯膜分离氢是高纯或超纯氢气生产的主要方式,然而,钯膜表面缺陷是影响氢分离纯度的主要因素.本文选择NaA分子筛和γ-Al2O3两种缺陷填充材料对初镀后的钯膜表面缺陷进行修饰,发现两种材料修饰后钯膜透氮量分别下降了57和2倍,NaA分子筛材料修饰后钯膜的透氮量为未修饰钯膜的1/2 500.经过补镀和活化后,在相同钯膜厚度(2.5μm)条件下,3种钯膜透氮量分别为1.91×10-3、6.12×10-4和4.89×10-3m3/(h·m2·MPa).不同修饰材料修饰的钯膜的氢氮分离因子顺序为NaA分子筛＞γ-Al2O3＞无修饰,说明通过修饰钯膜缺陷的方法可提高钯膜的氢分离选择性,且用NaA分子筛材料要优于γ-Al2 O3材料,因为NaA分子筛在缺陷中可根据缺陷形状原位生长,更能有效填补缺陷.NaA分子筛材料修饰后的钯膜经过20次300～400℃以及0.1～1.0 MPa的温度和压力循环仍保持性能不变,具有较高的稳定性.
关键词:
金属钯复合膜
,
透氢性能
,
分子筛
,
氧化铝
,
缺陷
