王珊汪明朴陈畅夏福中杨巧然
材料研究学报
研究了140 μm的Ta--7.5%W合金箔材在冷轧变形前后的织构和微观组织, 结果表明: 冷轧态和退火态的Ta--7.5%W合金箔材中主要形成了{001}<110>、{113}<110>、{112}<110>、{111}<110>四种织构组分; 在冷轧的Ta--7.5%W合金箔材中, 合金的{100}<110>取向和{113}<110>取向的晶粒中都形成了位错胞结构, 且在{100}<110>方向上主要为大的等轴状位错胞结构, 位错胞的平均大小在500 nm左右, 而在{111}<110>取向形成了微带组织, 这些微带互相平行, 微带之间的平均间距在200 nm左右; 微带主要由GNBs(geometrically necessary boundaries, 几何必须位错界面)和IDBs(incidental dislocation boundaries, 附生位错界面)两种位错界面结构组成, GNBs中含有一组相互平行的高密度位错, 位错之间的间距在5 nm左右。
关键词:
金属材料
,
cold–rolled
,
Ta–W alloy
,
textures
,
deformation structures
王珊
,
汪明朴
,
陈畅
,
夏福中
,
杨巧然
材料研究学报
研究了140μm的Ta-7.5%W合金箔材在冷轧变形前后的织构和微观组织.结果表明：冷轧态和退火态的Ta-7.5%W合金箔材中主要形成了{001}〈110〉、{113}〈110〉、{112}〈110〉、{111}〈110〉四种织构组分;在冷轧的Ta-7.5%W合金箔材中,合金的{110}〈110〉取向和{113}〈110〉取向的晶粒中都形成了位错胞结构,且在{100}〈110〉方向上主要为大的等轴状位错胞结构,位错胞的平均大小在500 nm左右,而在{111}〈110〉取向形成了微带组织,这些微带互相平行,微带之间的平均间距在200 nm左右;微带主要由GNBs（geometrically necessary boundaries.几何必须位错界面）和IDBs（incidentaldislocation boundaries,附生位错界面）两种位错界面结构组成,GNBs中含有一组相互平行的高密度位错,位错之间的间距在5 nm左右。
关键词:
金属材料
,
冷轧
,
Ta-W合金
,
织构
,
变形组织
