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直流反应磁控溅射法制备ZnO: Zr透明导电薄膜

张化福 , 类成新 , 刘汉法 , 袁长坤

人工晶体学报

以Zn∶ Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶ Zr透明导电薄薄膜.研究了沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.实验结果表明所制备的ZnO∶ Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大.当沉积压强为2Pa时,ZnO∶ Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω ·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97.

关键词: 直流反应磁控溅射 , ZnO∶ Zr薄膜 , 透明导电薄膜 , 沉积压强

沉积气压对电弧离子镀制备MgO薄膜的结构及性能的影响

朱道云 , 郑昌喜 , 王明东 , 陈弟虎 , 何振辉

功能材料

采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃及Si衬底上成功地制备了具有择优结晶取向的透明MgO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及紫外-可见吸收光谱仪分别对MgO薄膜微观结构、表面形貌及可见光透过率进行了测试与分析。XRD结果表明,所制备的MgO薄膜具有NaCl型立方结构的(100)、(110)和(111)3种结晶取向,在沉积气压为0.7~3.0Pa的范围内,薄膜的择优结晶取向随沉积气压的升高先由(100)转变为(110),最后变为(111)。SEM图表明随着沉积气压的升高,MgO薄膜的晶粒逐渐变小,薄膜结晶质量变差。在380~900nm范围内,沉积气压为0.7Pa下制备的MgO薄膜其可见光透过率高于90%,随着沉积气压的升高,薄膜的可见光透过率有所下降。

关键词: 阴极真空电弧离子沉积 , 沉积气压 , MgO薄膜 , 等离子体显示板

CrPtMn顶钉扎自旋阀材料的交换耦合作用研究

白茹 , 钱正洪 , 李健平 , 孙宇澄 , 朱华辰 , 李领伟 , 李源 , 霍德璇 , 彭英姿

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12666

反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间的交换耦合作用是高性能自旋阀材料研究中的一个关键因素.本工作研究了CrPtMn顶钉扎自旋阀材料中的交换耦合场(Hex)与薄膜沉积条件以及退火处理之间的关系.研究表明:沉积后的自旋阀材料中的Hex大小与CrPtMn钉扎层的溅射工作气压关系不大,Hex约为7.96×103 A/m.然而,经过240℃退火2h处理后,Hex呈现出与CrPtMn沉积时的溅射工作气压相关的特性,随着溅射工作气压的增加而增大.材料退火后的交换耦合场Hex的温度特性良好,室温下约为2.39×104 A/m.Hex随着测试温度的升高而逐渐减小,交换耦合场消失时的失效温度(blocking temperature)为315℃.

关键词: 交换耦合作用 , 自旋阀 , 沉积气压 , 测试温度

微/纳米CVD金刚石涂层沉积工艺参数优化

许晨阳 , 解亚娟 , 邓福铭 , 陈立 , 雷青

人工晶体学报

通过正交实验设计工艺参数,利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石涂层,采用扫描电镜、洛氏硬度计、X射线衍射仪等对金刚石涂层进行性能表征,同时进行切削试验,从而确定微米层和纳米层最佳的碳源浓度、沉积气压、热丝与基体间距.结果表明:最优微米金刚石涂层沉积工艺参数为碳源浓度2%,沉积气压3 kPa,热丝/基体间距5 mm.最优纳米金刚石涂层沉积工艺参数为碳源浓度5%,沉积气压5 kPa,热丝/基体间距8 mm.

关键词: 碳源浓度 , 沉积气压 , 热丝与基体间距

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