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康强 , 杨瑞霞 , 石双振
表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.006
目的：研究热丝化学气相沉积( HFCVD)工艺对金刚石薄膜生长的影响，确定影响金刚石薄膜生长的因素。方法采用热丝CVD法，以丙酮为碳源，在不同晶面的Si衬底上沉积金刚石薄膜，通过金相显微镜、X射线衍射仪分析薄膜生长特性。结果不同沉积温度下生长的金刚石薄膜表面形貌差异很大。在高、低碳源浓度下分别获得了(400)和(111)晶面取向的金刚石薄膜。采用分步沉积法，改善了成膜的效率。结论气源浓度和生长温度是影响金刚石薄膜生长的重要因素，分步沉积法对于金刚石薄膜的生长有较大影响。
关键词: 金刚石薄膜 , 择优取向 , 碳源浓度 , 表面形貌
龚春生 , 李尚升 , 张贺
材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.09.006
金刚石薄膜有着高的热导率，高的介质击穿场强，高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点，是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能，使其在半导体领域具有广阔的应用前景，近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜 P 型掺杂和 N 型掺杂的研究现状，对金刚石薄膜 N 型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索，并对 N 型金刚石的前景进行了展望。
关键词: 金刚石薄膜 , P 型 , N 型
