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LiF—AlF_3系熔体热力学性质的计算

许茜 , 邱竹贤

金属学报

用AIF_6~(3-)络合离子逐级分解模式和亚晶格溶液模型计算了LiF-AlF_3熔体中AlF_6~(3-)逐级分解常数和分解能分解常数依次为K_1=1.6×10~(-1),K_2=1.02,K_3=8.0×10~(-2);分解能为H_1=25.7kJ/mol,H_2=30.0kJ/mol,H_3=...

关键词: LiF—AlF_3熔体 , thermodynamic property , dissociation

H2分子在Li2NH(110)表面吸附的第一性原理研究

陈玉红 , 吕晓霞 , 杜瑞 , 董肖 , 张材荣 , 康龙 , 罗永春

稀有金属材料与工程

采用第一性原理方法研究了H2分子在Li2NH (110)晶面的表面吸附.通过研究Li2NH (110)/H2体系的吸附位置、吸附能和电子结构,发现H2分子吸附在Li长桥位时会发生解离,并在Li2NH (110)面形成NH2基,其吸附能为1.178 eV,属于强化学吸附,吸附最稳定.此时,NH2基中的...

关键词: 第一性原理 , Li2NH(110) , H2 , 吸附能 , 解离

氢分子在Mg(0001)表面的吸附与解离性能研究

张健 , 周惦武 , 黄雅妮 , 彭平 , 刘金水

稀有金属材料与工程

采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法,研究了氢分子(H2)在清洁、空位缺陷及Pd原子吸附的Mg(0001)表面的吸附与解离性能.结果显示:H2在清洁Mg(0001)表面呈较弱的物理吸附,H2解离需克服较高的能垒(1.3774 eV);空位缺陷的存在增强了Mg表面对H2的物理吸附能力,且使H2的解离...

关键词: Mg(0001)表面 , 吸附 , 解离 , 能垒

氟硅酸盐制取四氟化硅的研究进展

蔡苗 , 唐安江 , 王乐深 , 何元琴 , 何磊

硅酸盐通报

SiF4多被应用于电子行业和半导体行业,氟硅酸盐制备SiF4是制备方法中的一种.本文介绍了氟硅酸盐的性质,制备方法,以及氟硅酸盐制备SiF4的方法,并对部分氟硅酸盐制备SiF4的条件及产物进行了对比.

关键词: 四氟化硅 , 氟硅酸盐 , 分解 , 工艺

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