李小军
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.02.008
锗是重要的半导体材料之一,已被广泛应用于微电子工业领域中.本文利用密度泛函B3LYP方法,对AuGe+ (n=10～13)掺杂笼状团簇的结构、稳定性和光谱性质进行了理论研究.结果表明,每种团簇的基态结构都为Au原子内嵌的笼状构型,并且它们具有很强的平均键能和较高的配位数.通过对稳定的AuGe12+和AuGe13+团簇的红外和拉曼光谱进行理论模拟,找到了它们的特征吸收峰.并且,通过对这些团簇电子跃迁模式的研究,进一步探究Au原子掺杂团簇的光学效应.这些研究结果将为以后实验制备和表征提供重要的理论依据.
关键词:
掺杂团簇
,
笼状结构
,
稳定性
,
光谱性质
