王会
,
徐晓
,
冯斌
,
王德苗
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201511015
采用磁控溅射工艺在微波腔体耦合器内壁沉积了银/铜双层膜,并对该膜的电性能以及膜基结合强度等进行了研究.结果表明：采用磁控溅射法沉积的银/铜双层膜和基体的结合强度可达5．0 MPa；其中,内壁沉积有2μm银/2μm 铜双层膜的耦合器的电性能最佳,耦合度为5．75~6．20 dB,隔离度为31．02 dB,端口驻波值为24．43 dB,均达到了电镀的指标,插入损耗小于1．70 dB,优于电镀的；该工艺用银量少,无污染,可替代电镀在微波器件表面沉积功能镀层.
关键词:
磁控溅射
,
耦合腔
,
双层膜
,
电性能
,
结合强度
