郝天亮
,
陈钢进
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.019
Si O 2驻极体具有优异的电荷储存能力，其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点，一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性，发现 PECVD方法制备的Si O 2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的Si O 2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明，其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成，颗粒间存在大量无序度较高的界面，由此产生的“界面陷阱”是导致 PECVD 制备的 SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。
关键词:
驻极体
,
SiO2 薄膜
,
微观结构
,
PECVD
,
电子束蒸发
方舟
,
郭劼
,
张晓青
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅰ).016
探讨多孔聚四氟乙烯(PTFE)/氟化乙丙烯共聚物(FEP)复合膜驻极体的制备和储电性,以及该复合膜驻极体对大肠杆菌的抑制作用.首先通过辊压工艺制备出不同开孔率PTFE/FEP复合膜,利用电晕极化工艺使复合膜成为驻极体,然后利用等温表面电位衰减和开路热刺激放电电流谱的测量表征驻极体中电荷的存储稳定性,最后观察了驻极体膜对大肠杆菌的抑制作用.结果表明,对于相同开孔率的PTFE薄膜,PTFE的厚度越大,复合膜系的电荷储存稳定越好.经过开路热刺激放电(TSD)后,复合膜系中剩余的深阱电荷量约占总电荷量的47％.对于相同厚度的PTFE薄膜,开孔率大的复合膜系的电荷储存稳定性优于开孔率小的复合膜系,这是因为大开孔率导致脱阱电荷迁移途径增长的缘故.作用48h,复合膜驻极体对浓度为100cfu/mL大肠杆菌溶液的抑菌率可达96％.
关键词:
PTFE/FEP复合膜
,
驻极体
,
大肠杆菌
,
抑菌
张东林
,
陈钢进
,
赵延海
材料研究学报
采用在直流稳态、高频脉冲和交变电场作用下的电晕放电对氟化乙丙烯共聚物(FEP)薄膜材料进行注极,通过等温表面电位测量和热刺激放电技术考察了FEP驻极体的电荷存储特性,依据电晕放电等离子体鞘层模型对实验结果进行了分析,研究了电晕产生模式对FEP薄膜驻极体电荷存储性能的影响.结果表明,电晕注极FEP薄膜驻极体的表面电位稳定性与电晕产生模式、电晕极性有关,但是电荷存储机制只与电晕极性有关.脉冲电晕注极时的稳定性优于稳态电晕注极,但其初始表面电位值较低.交变电场电晕注极获得的驻极体,呈现负极性.不同电晕放电模式在材料表面形成的等离子体鞘层的组成和厚度不同,是FEP驻极体性质不同的主要原因.
关键词:
有机高分子材料
,
驻极体
,
电晕放电
,
FEP
,
表面电位稳定性
