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纳秒脉冲下SF6中的沿面闪络特性

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.04.011

通过搭建SF6气体中的沿面闪络实验平台,研究了上升时间约为30 ns的脉冲高压下不同角度圆台形试样的沿面闪络特性.利用电压电流波形得到闪络通道的阻抗变化特性,并对闪络过程机理进行讨论.结果表明:相同高度试样的沿面闪络电压随角度的增加而增大;相同沿面距离试样的沿面闪络电压随角度的增加而减小.沿面距离与表面电场不均匀系数是影响不同形状试样沿面闪络电压差异的主要原因.

关键词: SF6 , 纳秒脉冲 , 沿面闪络 , 圆台角度 , 电场仿真

采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层,在具有微锥结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,并采用二极结构,在20 GW脉冲功率源系统中对其强流脉冲发射特性进行了测试.结果表明:在相同的峰值电场下,CNT薄膜的发射电流峰值随基底微结构单元尺寸的减小而增大,且当脉冲电场的峰值增加时,CNT薄膜的发射电流的峰值增长速度随基底微结构单元尺寸的减小而增大.结合利用有限元分析软件ANSYS模拟计算的微锥阵列结构上表面的电场分布,研究了不同单元尺寸的微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射能力的影响.

关键词: 碳纳米管 , 强流脉冲发射 , 微锥阵列 , 单元尺寸 , 电场模拟

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纳秒脉冲下SF6中的沿面闪络特性

微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射的影响

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