刘超英
,
陈玮
,
徐志伟
,
付静
,
左岩
,
马眷荣
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.011
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上使用掺杂3％(质量分数)Al2 O 3的 ZnO 陶瓷靶材制备出了掺铝氧化锌(ZnO ∶ Al,AZO)透明导电薄膜.分别用XRD、SEM、四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对薄膜的性能进行了表征和分析.研究了溅射过程中不同氩气压强(0．3~1．2 Pa)对薄膜结构、形貌及光电性能的影响.XRD 测试结果表明,所制备的薄膜均具有呈c 轴择优取向的纤锌矿结构.当氩气压强为0．3 Pa时,AZO 薄膜的电阻率最低为6．72×10－4Ω?cm.所有样品在可见光波段的平均透过率超过85％.
关键词:
氩气压力
,
射频磁控溅射
,
AZO 薄膜
,
光电性能
李云
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李健
,
王艳
功能材料
高纯Sn和S粉按1∶0.41（质量分数,%）配比,均匀掺入9（质量分数,%）的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn（9（质量分数,%））的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为6.05×101（Ω·cm）,比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn（9%,质量分数）薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。
关键词:
Sn2S3薄膜
,
Zn掺杂
,
单源共蒸发
,
热处理
,
电、光特性
周杨
,
江美福
材料科学与工程学报
近年来,Si基ZnO∶ Al透明导电薄膜界面处Si的渗透对薄膜性能的影响引起了人们的关注.本文采用射频磁控溅射法,在石英和Si衬底上沉积了不同厚度的Al、Si弱掺杂(1 wt.％)的ZnO薄膜(AZO∶ Si),系统研究了膜厚(等价于Si的渗透深度)对薄膜电学、光学性质的影响.结果显示,膜厚在几十nm时,薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于膜厚,在膜厚为19nm时,载流子浓度和迁移率接近最小,电阻率较大,且呈现p型导电特性.随着膜厚增加,载流子浓度和迁移率都变大,电阻率减小并趋于稳定,膜厚在396nm附近时电阻率最小是7× 10-3Ω ·cm,此时的载流子浓度和迁移率分别是1.54×1020cm-3和5.66 cm2V-1s-1.膜厚达300nm以上时,Si的影响已可忽略.结合薄膜的X射线衍射(XRD)图谱、X射线光电子能谱(XPS)和紫外—可见光(UV-Vis)透射光谱探讨了膜厚(Si的渗透深度或过渡层厚度)对薄膜性能的影响及其相关机制.
关键词:
AZO∶Si
,
磁控溅射
,
膜厚
,
电光性质
杨睿
,
介万奇
,
孙晓燕
,
杨敏
,
呼唤
,
蔺云
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140539
以CrTe作为掺杂源、以Te作为溶剂，用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的ZnTe晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm)，且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入ZnTe中的CrTe富集于固液界面处，表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的ZnTe晶体的电阻率(约1000?·cm)高于未掺杂的ZnTe(约300?·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了ZnTe中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低，表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。
关键词:
C r掺杂Z n Te
,
晶体生长
,
Te夹杂相
,
电学和光学性能
