李爱丽
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闫金良
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石亮
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刘建军
人工晶体学报
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
关键词:
透明导电膜
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多层膜
,
光学性质
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电学性质
王灿灿
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岳平
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刘宗喜
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夏之罡
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姜文东
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苏恺
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蓝磊
绝缘材料
基于输电杆塔用复合材料对力学性能、绝缘性能以及耐候性的要求，研究了架空输电杆塔用环氧树脂复合材料的电气绝缘性能，分析其在浸水、盐水煮沸和漏电起痕等试验条件下的电气绝缘性能变化情况。结果表明：在浸水试验后，环氧树脂复合材料的介质损耗因数略有增大，电阻率仅下降一个数量级；在盐水中煮沸后其泄漏电流没有明显增大；复合材料具有优良的憎水性能，但憎水迁移特性较差；与绝缘涂层结合可经受3.5级的耐漏电起痕烧蚀，复合材料切片的电气强度达到25.3 MV/m(厚度1 mm)和19.6 MV/m(厚度2 mm)，可以满足架空输电杆塔材料对绝缘性能面的要求。
关键词:
环氧树脂复合材料
,
输电杆塔
,
电气性能
,
憎水性
卢凤英
,
吕建
,
胡舒龙
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章震
,
刘华山
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曾德明
绝缘材料
采用原位聚合法制备了介孔材料/不饱和聚酯(SBA-15/UP)复合树脂，通过X射线衍射（XRD）、氮气吸附-脱附、热重分析（TGA）等表征了SBA-15及SBA-15/UP的相关性能，研究了不同SBA-15含量对SBA-15/UP热性能及电性能的影响。结果表明：在原位聚合过程中，SBA-15的有序性降低，其孔径由原来的6.64 nm下降到0.926 nm，表明UP分子链嵌入到SBA-15孔道内形成了有机-无机互穿网络结构；与纯UP相比，添加1%~3%的SBA-15后，SBA-15/UP复合树脂的热稳定性明显提高，其Td5%较纯UP的Td5%均提高了25℃左右。
关键词:
介孔材料
,
不饱和聚酯
,
热性能
,
电性能
姜雪宁
,
孟昕
,
孟宪芹
,
张庆瑜
功能材料
利用反应磁控溅射方法在蓝宝石单晶衬底上制备了调制周期相同、周期数不同的GDC/YSZ纳米多层薄膜,采用X射线衍射、原子力显微镜对薄膜结构、粗糙度、生长形貌进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了多层薄膜不同温度下的电学性能。结果表明衬底上首层薄膜是整个多层膜的生长模板,首先沉积GDC时多层膜呈无规则生长而首先沉积YSZ时多层膜为（111）织构;GDC/YSZ多层膜的生长是一个逐渐粗糙化的过程,随着薄膜厚度的增大（周期数的增多）,多层膜粗糙度与晶粒尺寸增大;随着周期数的增多,多层膜电导率逐渐增大,但电导活化能基本保持不变（约1.3eV）;在500～800℃下退火,多层膜结构稳定,但由于薄膜晶粒长大,导致其电导率小幅降低（降低百分比〈5%）。
关键词:
GDC/YSZ多层薄膜
,
周期数
,
生长形貌
,
电学性能
,
结构稳定性
陈彩云
,
戴丹
,
陈国新
,
巩金瑞
,
江南
,
詹肇麟
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.022
石墨烯自从2004年问世之后,由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起了各界的关注.石墨烯独特的电学性能使其有望替代硅成为下一代半导体工业的主角.然而要实现石墨烯电子器件的构建,必须先解决在绝缘或半导体衬底上直接制备石墨烯的难题.综述了近几年不同绝缘衬底对化学气相沉积法制备石墨烯所产生的影响,分析比较了不同绝缘衬底的优缺点,并展望了石墨烯的发展及应用前景.
关键词:
石墨烯
,
电学性能
,
制备
,
绝缘衬底
邹兴
,
马莉
,
陈贵
材料科学与工艺
分别以自制锰源和工业用电解二氧化锰为原料,采用固相合成法,将锰源和碳酸锂的混合物合成尖晶石型锰酸锂.通过扫描电子显微镜、X射线衍射的方法研究了不同锰源合成的尖晶石型锰酸锂之间形貌和结构的区别,通过电性能测试研究了不同锰酸锂对锂离子电池电性能的影响.结果表明：合成的锰酸锂都有良好的尖晶石型立方结构,以碳酸锰为原料的自制三氧化二锰合成的锰酸锂颗粒细小、致密,颗粒大小分布均匀,首次充放电比容量最高,分别为136.51mAh/g和124.18mAh/g,同时也表现出了最优的循环性能,循环50次的充放电容量分别为103.02mAh/g和91.21mAh/g.
关键词:
不同锰源
,
固相合成法
,
尖晶石型锰酸锂
,
电性能
肖顺华
,
王任衡
,
宝音
功能材料
采用溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡薄膜（Ba0.7Sr0.3TiO3,BST）/硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）复合薄膜,扫描电镜显示BST均匀地覆盖在Si-NPA衬底的柱状表面,X射线衍射研究表明BST在600℃及以上退火温度下可形成钙钛矿相结构。剩余极化强度（Pr）和矫顽场（Ec）随着温度的升高而增大,在800℃退火温度下分别对应于4.57μC/cm2和7.61kV/mm。机理研究表明,肖特基发射和空间电荷限制电流两种机理共同作用于该薄膜材料的漏电流形成过程。
关键词:
钛酸锶钡
,
硅纳米孔柱阵列
,
复合薄膜
,
电学性能
陆志娟
,
崔彩娥
,
黄平
,
康爱国
稀有金属材料与工程
采用高温固相法,分别在空气、氧气和碳还原气氛中制备了Bi_2.9Pr_0.9Ti_3O_(12)材料.用X射线衍射仪、拉曼光谱仪分析样品物相结构,扫描电子显微镜表征微观形貌,阻抗分析仪和铁电性能测量仪测试电性能.结果表明:氧气气氛中样品晶粒尺寸相对较大,介电常数和剩余极化值较高;还原气氛中样品晶粒呈柱状,电性能差.氧气氛围可以促进晶粒生长,有助于改善Bi_2.9Pr_0.9Ti_3O_(12)材料的电性能.
关键词:
Bi_2.9Pr_0.9Ti_3O_(12)
,
微观结构
,
拉曼频移
,
介电性能
,
损耗因子
