杨子义
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郝正同
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徐虎
材料导报
室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响.实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜.
关键词:
BaSi2薄膜
,
晶体结构
,
表面形貌
,
透射光谱
,
电学性质
董慧民
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钱黄海
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程丽君
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苏正涛
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刘嘉
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王文志
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牟维琦
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.001332
介绍了石墨烯/橡胶纳米复合材料的导电机理,综述了石墨烯及其衍生物、石墨烯的处理改性、与其他材料共混以及纳米导电复合材料的制备,论述了加工方法、硫化工艺以及温度、压力、频率、介质等因素对石墨烯/橡胶纳米复合材料导电性能的影响,并指出多组分橡胶/石墨烯复合体系及其“双逾渗”行为等都将是未来导电石墨烯/橡胶研究的重点.
关键词:
石墨烯
,
改性物
,
导电橡胶
,
导电机理
,
电性能
,
逾渗阈值
