杨利
,
张国艳
,
周毅
,
廖怀林
,
黄如
,
张兴
,
王阳元
稀有金属材料与工程
采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅.氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液.通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系.通过ESEM对所制样品进行了表面和截面形貌分析,得出30 mA/cm2～50 mA/cm2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件.
关键词:
二甲基甲酰胺
,
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
阳极电流密度
李佳艳
,
游小刚
,
谭毅
,
郭素霞
人工晶体学报
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
关键词:
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
吸杂
,
电阻率
蒋稳
,
邹宇
,
伍建春
,
展长勇
,
朱敬军
,
安竹
,
杨斌
,
黄宁康
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.15.020
采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备.就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究.研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别.随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整.当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨.
关键词:
中子探测器
,
电化学刻蚀
,
多孔硅阵列
,
形貌
包晓慧
,
明平美
,
毕向阳
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150456
采用电化学蚀刻方法在碳化硅颗粒增强复合材料(SiC/Al)表面构筑了微纳结构,重点分析了蚀刻电流密度和蚀刻时间等关键操作参数对所得表面微观形貌及润湿特性的影响.研究发现,较高电流密度(6 A/dm2)下刻蚀的SiC/Al复合材料表面可形成由微米级“粒状”结构和纳米级结构(颗粒状和波鳞状)复合而成的微-纳双层结构,且这种特殊结构不因后续刻蚀时间延长而改变;优化条件形成的SiC/Al复合材料刻蚀表面呈现出静态接触角高达160.7°、滚动角低至4°的超疏水特性.本研究结果说明SiC/Al复合材料可用于制备自清洁表面.
关键词:
超疏水表面
,
电化学蚀刻
,
SiC/Al复合材料
,
微纳复合结构
张苓
,
冯庆
,
蔡继东
,
张玉萍
,
贺斌
钛工业进展
采用电化学刻蚀处理钛基材,再通过涂覆、烧结的方法制备出钛基IrO2-Ta2 O5电极.与喷砂处理相比,经电化学刻蚀处理后,钛基材表面的凹坑分布更均匀,涂覆涂层后的钛基IrO2-Ta2 O5电极的表面凹坑深浅均匀,呈规则分布.强化寿命测试结果表明,经电化学刻蚀处理后制备的钛电极强化寿命平均值达到20 d,比喷砂处理后制备的电极寿命(16 d)显著提高20%;电化学刻蚀处理后制成的钛电极析氧电位为1.62~1.73 V,明显低于喷砂后制备的钛电极(1.92 V),电解时可降低电耗.
关键词:
钛基IrO2-Ta2O5电极
,
电化学刻蚀
,
表面预处理
,
强化寿命
,
析氧电位
许斌
,
邹洪庆
表面技术
目的 研究镍磷合金镀层经电化学蚀刻后的表面特性.方法 对镍磷合金镀层进行电化学蚀刻,表征蚀刻层的外观形貌、显微形貌、物相结构、元素成分及蚀刻深度,测定蚀刻层的硬度,通过热震试验测试蚀刻层的结合强度,通过极化曲线表征蚀刻微孔的穿透性.结果 电化学蚀刻后,镍磷合金层表面会逐渐失光,颜色变暗.电化学蚀刻微孔最初在胞状物边界产生,随后扩展至胞状物表面.结论 在较佳的蚀刻条件下,蚀刻层微孔大小合适,均匀分布,且孔深合适,没有微孔穿透至基底层.电化学蚀刻使表面硬度有所下降,而对蚀刻层的结合强度影响不大.
关键词:
镍磷合金镀层
,
电化学蚀刻
,
多孔蚀刻层
