何银花
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王发展
人工晶体学报
以第一性原理计算方法为基础,研究了不同构型的ZnO-NC(氧化锌纳米锥),得到了五种稳定的几何结构,电子结构分析表明Zn-Zn(4P)的场发射性能最优.在此基础上,进一步研究了In/Mg掺杂Zn-Zn(4P)体系的场发射性能,结果表明:掺杂使结构稳定性增强,相比掺Mg和未掺体系,掺In提高了LDOS(局域态密度)峰值且峰位更靠近EF(费米能级),尖端电子密度增大;根据Mulliken电荷、HOMO(最高占据分子轨道)-LUMO(最低未占据分子轨道)能隙及有效功函数的计算,可知In-In(4P)具有更优异的场发射性能.
关键词:
第一性原理
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氧化锌纳米锥
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电子输运
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场发射
陈辰
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邱红梅
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潘礼庆
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.10.007
利用固相反应法制备了Al掺杂的Sr14 (Cu1-x Alx)24 O41(x=0,0.01,0.02,0.03)系列多晶样品.X射线衍射结果表明所有样品均为单相,Al掺杂使样品晶格常数a、b发生涨落,但使晶格常数c1adder逐渐减小.X射线光电子能谱结果表明Al掺杂对体系内Sr、Cu、O离子价态不存在影响,并且Al离子以+3价的形式替代了Sr14 Cu24 O41体系内的Cu2+,不存在其他混合价态.电阻率测量结果表明所有样品均呈半导体性,Al掺杂使体系电阻率升高.进一步分析表明所有样品存在一渡越温度Tρ,Al掺杂使Tρ发生微弱涨落.在Tρ以上,自旋梯子中单个空穴热激活对体系电导存在贡献.在Tρ以下,自旋梯子中空穴的变程跳跃电导对体系电导存在贡献.实验数据拟合结果表明Al掺杂使体系内单个空穴热激活能△以及局域态势垒参数T0逐渐增大.
关键词:
强关联电子系统
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自旋梯子化合物
,
掺杂
,
电输运
马松山
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郭锐
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徐慧
,
崔麦玲
材料导报
由于DNA分子在纳米电子学、分子电子学中具有广泛的潜在应用,对DNA分子中电子输运特性的研究备受关注.然而,目前对DNA分子电子输运特性的研究还未形成统一认识.阐述了DNA分子中的电子输运理论、实验研究进展.实验方面,DNA分子呈现出绝缘体、半导体、导体的各种可能结果都有报道;理论方面,主要形成了2种方法,一种是第一原理计算,另一种是基于哈密顿量模型的计算.
关键词:
DNA分子
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电子输运
,
分子器件
