李璇
,
麻尉蔚
,
马凤凯
,
狄聚青
,
郑丽和
,
姜大鹏
,
苏良碧
,
杨秋红
,
徐军
人工晶体学报
采用提拉法分别生长了具有高光学质量的0.5at％和1.0at％的Ho∶ Sc2SiO5(Ho∶ SSO)激光晶体.研究表明晶体空间群为C2/c,晶胞参数为a=0.99723 nm,b=0.64261 nm,c=1.16843 nm,β=103.9°.Ho3+在SSO基质中的分凝系数为0.82.Ho∶ SSO晶体在2085nm处发射截面为1.12×10-20 cm2,发射光谱呈现一个1850～2150nm的宽发射带.当粒子数反转比率β=0.25时,增益截面σg即开始出现正增益.综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶SSO晶体是一种有潜力的2μm波段激光介质.
关键词:
Sc2SiO5
,
激光晶体
,
提拉法
,
分凝系数
,
发射光谱
郑峰
,
苏佳祥
,
宋剑斌
,
陈黄华
,
杨文斌
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.008
为研究马来酸酐接枝聚乙烯(PE-g-MAH)对稀土荧光竹塑复合材料发光性能和力学性能的影响,利用荧光分光光度计、电子万能试验机、摆锤冲击仪和傅里叶红外光谱仪表征复合材料的发射光谱、力学性能和红外光谱,并利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察稀土荧光竹塑复合材料的拉伸断面的微观形貌.结果表明随着马来酸酐接枝聚乙烯的含量增加,稀土荧光竹塑复合材料的发光强度、弯曲强度、弯曲模量、冲击强度和拉伸强度均先增大后减小,PE-g-MAH的含量为6％时,复合材料的相对发光强度比未添加PE-g-MAH的稀土荧光竹塑复合材料提高43.02％,弯曲强度提高42.91％,弯曲模量提高37.97％,冲击强度提高119.44％,拉伸强度提高25.35％;场发射扫描电镜显示,马来酸酐接枝聚乙烯的含量增加,铝酸锶荧光粉在基体中分散更加均匀、团聚减少、界面结合改善;红外光谱(FTIR)分析显示,PE-g-MAH与竹粉、铝酸锶荧光粉的表面羟基发生了酯化反应并形成氢键连接.
关键词:
马来酸酐接枝聚乙烯
,
红外光谱
,
发射光谱
,
竹粉
,
铝酸锶荧光粉
,
酯化反应
郭瑞
,
吴音
,
黄勇
稀有金属材料与工程
采用分步沉淀法,首先用草酸沉淀剂使钇和铈沉淀完全,再以草酸盐沉淀作为晶核,用氨水使铝盐沉积在钇和铈盐沉淀物的外层.对沉淀反应的发生顺序、氨水沉淀反应结束时体系的pH值条件、YAG晶相生成过程及机理进行了研究,利用荧光分光光度计分析了粉体的发光性能.结果表明,粉末粒径约为2μm,激发光谱为双峰结构,最大波长470 nm,发射波长为534 nm,适用于白光LED.
关键词:
草酸-氨水
,
分步沉淀法
,
YAG:Ce~(3+)
,
激发光谱
,
发射光谱
闵春刚
,
冷艳
,
崔小英
,
杨喜昆
,
黄绍军
,
王绍华
,
任爱民
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.013
通过密度泛函理论(DFT)MPW3PBE 泛函,对甲基、甲氧基、氰基、氟原子、氨基、硝基取代的萤火虫生物发光底物烯醇式氧化荧光素进行了全优化.计算了他们的电离能(IP)、电子亲和势(EA)、空穴抽取能(HEP)、电子抽取能(EEP)、空穴和电子重组能(λ),评估了它们的空穴和电子传输能力.用含时密度泛函理论(TDDFT)MPW3PBE/6-31＋G(d)方法计算了吸收光谱,优化了最低单重态 S1,最终研究了它们的荧光光谱.理论计算结果表明,E-CN 是具有双重功能的 OLEDs 材料的优良候选者,即可同时作为电子传输层和发光层材料.E-NO 2、E-F 和 E-OCH 3可以作为电子传输材料.而 E-NH 2可作为空穴传输材料.
关键词:
萤火虫烯醇式氧化荧光素
,
密度泛函理论
,
空穴和电子传输
,
重组能
,
发射光谱
张万松
,
潘海亮
,
周广刚
,
邵长金
,
林春丹
,
卢贵武
人工晶体学报
利用提拉法多次生长了KMgF3∶Sm2+和KMgF3∶Sm2∶Li+晶体;在KMgF3∶Sm2晶体结构分析的基础上,通过测试和分析KMgF3∶Sm2+和KMgF3∶Sm2+∶Li+晶体的激发光谱、发射光谱以及衰减曲线,揭示了晶体的7 F0→5D0激发光谱中,680 ～ 682 nm范围内未被揭示的一个激发峰的产生机理.最后得出结论该激发峰是由Li+引起的HA色心,此结论通过355 nm紫外光照射对光谱的影响进一步得到了确认.
关键词:
KMgF3∶Sm2+∶Li+晶体
,
激发光谱
,
发射光谱
,
衰减曲线
,
HA色心
张楼英
,
崔一平
,
罗宗南
,
周丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.02.011
为了研究大功率白光、蓝光LED在整个寿命中的颜色漂移,选用一系列的大功率白光、蓝光发光二极管分别进行了不同电流的恒流点亮.在点亮不同时间阶段测量了LED的发射光谱、色坐标和色温,研究了在不同电流点亮时的光通量、色坐标和色温的变化,分析了电流、时间等因素对颜色漂移的影响.结果表明,在不同电流点亮及同一电流点亮的不同时间阶段,LED的颜色不同.说明大功率LED的颜色漂移不仅是由荧光粉老化所引起,更主要的因素是材料本身的变化.文章对此进行了初步的分析,为白光LED的应用及进一步研究白光LED颜色漂移提供了参考.
关键词:
大功率LED
,
发射谱
,
寿命
,
颜色漂移
左潇
,
陈仁德
,
柯培玲
,
王铁钢
,
汪爱英
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.06.018
目的 探索高功率脉冲磁控溅射方法在大尺寸平面磁控溅射Cr靶过程中,近基底表面等离子体区域内的活性粒子分布特性以及辐射跃迁过程,为HiPIMS的规模化应用提供实验基础和理论依据.方法 选择不同高功率脉冲溅射脉冲电压、工作气压和耦合直流等关键沉积参数,采用等离子体发射光谱仪测量近基底表面等离子体区域内的光学发射光谱,分析原子特征谱线的种类、强度分布、离子谱线强度百分比、金属原子谱线含量等.结果 当脉冲电压到达700 V后,基底表面的等离子体区域内的金属离化率显著提高;脉冲电压为600 V时,适当增加工作气压至5.0 mTorr,能有效提高到达基底的Cr激发态粒子含量,工作气压的升高会降低金属离化率.增加耦合直流在一定程度上降低了能到达基底的活性Cr+和Cr*原子含量,为了保持一定的活性粒子比例,耦合直流应当小于1.0 A.结论 大面积高功率脉冲磁控溅射中的近表面等离子体区域内的主要活性粒子为Ar+和Cr*激发态原子,其主导的碰撞过程为Ar+的电离复合过程和Cr*的退激发过程,金属离化率还有待提高.
关键词:
高功率脉冲磁控溅射
,
近基底表面区域
,
发射光谱
,
耦合直流
