魏全香
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王鹏飞
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任正伟
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贺振宏
材料科学与工程学报
1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值.本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度.在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用.在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长.最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491rim,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点.
关键词:
异变
,
InAs量子点
,
分子束外延
,
发光波长
黄承斌
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王忆
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彭渤
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张焜
材料导报
红色荧光粉对白光LED的色温、显色性以及发光效率等关键性能指标有很大的影响.对目前白光LED用红色荧光粉8个主要体系的研究情况进行了详细的介绍与分析.并对比了各个体系红色荧光粉的激发和发射波长、量子效率及色坐标等性能参数.另外,为了更好地对比实验样品和工业产品,还测试和分析了两种工业常用红色荧光粉的激发和发射光谱.指出了红色荧光粉研究及应用过程中存在的激发波长与蓝光芯片的发射波长不匹配、激发效率低、发射光谱范围窄以及其基质与当前所用黄色荧光粉的基质不匹配等问题,最后针对这些问题提出了几点解决建议.
关键词:
白光LED
,
红色荧光粉
,
激发波长
,
发射波长
