张延忠
,
金慧娟
,
施英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.006
在f=3-30kHz和Bm=0.1-1.0T范围内,研究了高Br纳米晶Fe73Cu1Nb2V1.5Si13.5B9合金的中频P/f的行为.在中频范围内,研究了"磁体"数n与过剩场Hexc的关系.结果表明,用损耗统计理论中的相关方程和参数能很好地描述中频损耗的非线性行为.在f=30-100kHz和Bm=0.05-1T范围内,研究了高频P/f对f的行为.在相当宽的高频范围内,P/f对f的行为呈现准线性性,可用线性方程P/f=Peh+ Keclf很好地表示.所研究的频率范围大约可分为两个范围,在这两范围内,Peh和Kecl分别具有不同值.一系列计算表明,依据方程P/f=Ph+Pcl/f+Pexc/f的损耗分离和统计理论中的相关方程不适用于正确描述高频损耗行为.
关键词:
纳米晶合金
,
铁损
,
过剩损耗
