M.H. Li
,
G.H. Yu
,
F.W. Zhu
金属学报(英文版)
The exchange bias field of NiFe/FeMn films with Ta/ Cu buffer was proved to be lowerthan that of the films with Ta buffer. The crystallographic texture, surface roughnessand elements distribution were examined in these two sets of samples, and there isno apparent difference for the texture and roughness. However, the segregation ofCu atoms above NiFe surface in the maltilayer of Ta/Cu/NiFe has been observed byusing the angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The decrease of theexchange bias field for NiFe/FeMn films with Ta/ Cu buffer layers is mainly causedby the Cu atoms segregation at the interface between NiFe and FeMn.
关键词:
NiFe/FeMn
,
null
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祁先进
,
李国华
,
王寅岗
,
李子全
功能材料
采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co_(75)Fe_(25)(5nm)/Ir_(20)Mn_(80)(12nm)/Ta(8nm)的双层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM) 和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对双层膜的结构及磁性能的影响;并通过样品在反向饱和场下停留不同的时间,研究了退火对双层膜的磁稳定性的影响.结果表明,退火使得IrMn(111)织构减弱,表面/界面粗糙度增大,交换偏置场减小,矫顽力增加,退火降低了双层膜的磁稳定性.
关键词:
退火
,
织构
,
界面粗糙度
,
交换偏置场
张变芳
,
沈英明
,
郭海勇
,
李宝才
,
李国科
材料热处理学报
用溶胶-凝胶制备了系列Ni0.4Mn0.3Zn03Fe2O4铁氧体微粉.借助于TG-DTA、XRD、TEM、VSM和PNA技术,对干凝胶的热分解过程、产物的物相、微观结构、磁性和介电常数进行研究.结果表明,反应温度为30℃,前驱体在1000℃烧结转变成尖晶石相,但仍然有Fe2O3相存在,无法获得纯的Ni0.4Mn0.3Zn0.3Fe2O4铁氧体微粉.另外,由于杂质粒子的存在和晶粒表面结构缺陷,粉体样品在室温出现交换偏置场.块状样品随着煅烧温度的提高,电阻率和介电常数减小.
关键词:
交换偏置场
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磁结构
,
热分析
,
介电常数
陈杰
,
王寅岗
,
周广宏
,
祁先进
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法制备结构为CoFe/Cu/CoFe/IrMn的自旋阀结构多层膜,研究它的热弛豫现象.实验表明,多层膜在其负饱和场中等待时,钉扎层的磁滞回线向正场方向移动,交换偏置场单调减小,并且随温度升高而加速减小.交换偏置场的减小是由反铁磁层的反转引起的,它可以看作是反铁磁磁矩越过一定能垒的热激活反转过程.温度升高后,能垒的分布发生了改变.
关键词:
热弛豫
,
IrMn基自旋阀
,
交换偏置场
,
磁化反转
李明华
,
游顺青
,
刘洋
,
陈喜
,
董跃刚
,
于广华
功能材料
采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜,研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO,发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加,多层膜的交换偏置场逐渐增大,当MgO的含量约为2.5%交换偏置场达到最大值。随着MgO含量进一步增加交换偏置场下降。在IrMn中插入适量的MgO可以有效地增加交换偏置场。
关键词:
MgO
,
掺杂
,
交换偏置场
