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La3+-doped SrBi2Ta2O9 thin films for FRAM synthesized by sol-gel method

V.V. Sidsky , A.V. Semchenko , A.G. Rybakov , V.V. Kolos , A.S. Turtsevich , A.N. Asadchyi , W. Strek

稀土学报(英文版) doi:10.1016/S1002-0721(14)60065-X

关键词:

Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的取向生长及其电性能研究

采用Sol-Gel工艺,在快速退火的工艺条件下制备了Bi₄Ti₃O₁₂铁电薄膜,研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响,探讨了Bi₄Ti₃O₁₂薄膜取向生长的微观机制.结果表明:退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长,其(00l)晶面的取向度F=(P-P₀)/(1-P₀)由550℃的0.081增加到850℃的0.827,退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响;经750℃以上温度退火处理的Bi₄Ti₃O₁₂薄膜呈高度c轴取向,对铁电性能有较明显的削弱作用;薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大,但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.

关键词: 铁电薄膜 , Bi₄Ti₃O₁₂ , oriented growth , sol-gel technique

Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification

稀有金属（英文版） doi:10.1007/s12598-011-0199-3

关键词:

循环电场下钙钛矿铁电薄膜的极化疲劳机制

宁平凡 , 崔彩娥 , 黄平 , 康爱国 , 郝虎在

人工晶体学报

将循环电场引起电荷注入并产生局部相分解的理论引入到氧空位模型中,建立了一个解析形式的钙钛矿结构铁电薄膜极化疲劳模型.结合该模型讨论了铁电薄膜与金属电极间的低介电常数界面层对疲劳特性的影响,认为界面层对疲劳的产生起关键作用.运用该模型分析了不同松弛时间、电压、温度下的疲劳特性,并与已报道的实验结果进行了对比,模型计算结果与实验数据具有很好的一致性.

关键词: 极化疲劳 , 铁电薄膜 , 氧空位 , 电荷注入

铁电薄膜过渡层材料的研究进展

于玲君 , 付兴华 , 辛立强 , 崔永涛

材料导报

具有介电、铁电、压电等特性的铁电薄膜在动态随机存储器、移相器等功能器件上拥有广泛的应用前景,但其疲劳现象已成为应用的严重障碍,在衬底与铁电薄膜之间添加氧化物过渡层可以改善这种现象.综述了普通氧化物、钙钛矿型氧化物、超导氧化物等作为过渡层材料对铁电薄膜结构与性能的影响.

关键词: 铁电薄膜 , 疲劳 , 过渡层材料 , 介电性能

铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状

李惠琴 , 刘敬松

材料导报

概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状,将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较,针对铁电薄膜在存储器中的应用,探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题,指出了当前研究的重点.

关键词: 铁电薄膜 , 工艺 , 疲劳

结构设计对铁电薄膜系统电滞回线的影响

王华

无机材料学报

为制备符合Si集成铁电器件要求的高质量Si基铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺,制备了MFM及MFS结构的铁电薄膜系统.研究了不同结构及不同衬底对铁电薄膜系统铁电性能及电滞回线的影响,并对这些差异产生的主要影响因素进行了分析.在此基础上,提出并制备了Ag/Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃/Bi₄Ti₃O₁₂/p-Si多层结构,该结构铁电薄膜系统的铁电性能及电滞回线的对称性有明显改善,有望应用于Si集成铁电器件.

关键词: 铁电薄膜 , P-V hysteresis loops characteristics , sol-gel method