周国庆
,
胡林
,
魏凌志
,
张发培
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.019
石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响.采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4 mm左右的大尺寸单晶石墨烯.通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量的单层单晶石墨烯.同时观察到CVD生长的亚毫米级、A-B型堆垛的多层单晶石墨烯畴,以及由单晶石墨烯共生形成的叠层结构.此外通过采用3种类型的铜箔衬底生长石墨烯,发现铜箔特性如体氧含量等对石墨烯成核密度和单晶石墨烯形貌有重要的影响,并观察到不同类型铜箔的晶面择优取向在CVD生长前后发生不同的转变.最后,利用所生长的大尺度单晶石墨烯制备场效应晶体管,实现高的载流子迁移率.
关键词:
单晶石墨烯
,
化学气相沉积
,
成核密度
,
铜箔衬底
,
场效应晶体管
郝威
,
郭新立
,
张艳娟
,
王蔚妮
,
张灵敏
,
王增梅
,
陈坚
,
于金
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.004
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在Si O 2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与Si O 2/Si 衬底紧密结合的石墨烯条带(约10000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735 cm2/(V?s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。
关键词:
石墨烯
,
场效应晶体管
,
滞回行为
