邵花
,
王文东
,
刘训春
,
夏洋
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.008
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下，利用直流磁控溅射法在Si表面制备了 Ta薄膜，系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的 Ta 薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现，随溅射气压升高，高阻β相出现，薄膜电阻率随之增大；在相同溅射气压下，随着溅射功率的增加，薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
关键词:
磁控溅射
,
Ta
,
薄膜电阻率
