琚伟
,
马望京
,
彭丹
,
牟秋红
,
张方志
,
陈义祥
贵金属
采用机械球磨法制备片状银粉，通过扫描电镜(SEM)、激光粒度分析仪和热重分析仪表征了银粉的形貌、粒度及纯度，研究球磨介质、球磨时间以及球磨前驱体球形银粉的形貌对片状银粉形貌及粒度的影响。结果表明，以乙醇为球磨介质，球磨时间为15 h，并采用粒径均一的球形银粉为球磨前驱体，能够机械球磨制备片状率高，粒径大小在4~6μm且均匀的片状银粉。将片状银粉配制成银胶，印刷并固化成线路后，测试了其电导率，达到了应用指标。
关键词:
金属材料
,
导电银胶
,
片状银粉
,
片状率
,
粒径均匀
琚伟
,
伊希斌
,
张晶
,
王启春
,
陈义祥
,
范会利
,
牟秋红
贵金属
通过研究树脂体系、固化剂及片状银粉对导电银胶体系力学性能、导电性能及耐候性能的影响，制备出可常温储存的导电银胶。结果表明，银粉质量含量75%，环氧树脂(EP)与聚酰胺酰亚胺树脂(PAI)质量比为80/20，二氨基二苯甲烷/二氨基二苯醚质量比为60/40，所配制的导电银胶的性能能够达到技术指标。样品经封装企业进行上线测试，能够满足应用要求。
关键词:
金属材料
,
LED
,
导电银胶
,
片状银粉
,
体积电阻率
,
剪切强度
施昌快
,
梁诗宇
,
朱晓云
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.06.010
在光诱导下,以抗坏血酸(VC)和乙醇为还原体系,PVP与PVA为混合保护剂还原制备了片状银粉.研究表明,反应温度过高或过低均不利于控制银粉的粒径大小.50～ 60℃的反应温度既可以提高反应速率又能增加银晶核的形成;混合保护剂的使用比单独一种保护剂能使银粉具有更好的分散性能;而光源的入射波长、入射强度以及光辐照时间可以改变银粉的形貌;光照时间小于15 h制备的银粉呈球形或类球形且颗粒大小粗细不一;光照时间为15 ～45 h时银粉呈球形,颗粒大小均匀统一;光照时间45 h以上有利于片状银粉的形成.通过对反应温度的调整、表面保护剂的选择和光辐照时间的控制获得了制备片状银粉的较优工艺.在反应温度55℃,nNH3·H2O/nAg+=6,nVC/nAg+=9.5,nPvP∶nPVA∶nAg+=0.5∶1.0∶1.0(摩尔比),50 W高压汞灯(波长352 nm)辐照45 h,AgNO3浓度为0.2 mol·L-1的条件下,得到粒度分布均匀,结晶度高,分散性良好的片状银粉.
关键词:
光诱导还原
,
光照时间
,
片状银粉
滕媛
,
甘国友
,
李文琳
,
杜景红
,
严继康
,
易建宏
贵金属
将银粉、有机载体和玻璃粉按一定比例混合制成导电银浆。银浆通过丝网印刷在硅基片上，保温烧结。采用SEM、四探针法研究银粉的不同粒径与形貌对银浆烧结厚膜层方阻的影响。结果表明，随着球形银粉粒径增大，银膜方阻先减小后增大，当球形银粉粒径在2μm时银膜方阻最小，为4.44?/□；当2μm片状银粉和2μm球形银粉混合加入时，银膜方阻最小，为3.95 m?/□；随着片银的含量增加，银膜方阻先减小后增大，当片状银粉为50%时银膜方阻最小，为3.92 m?/□。
关键词:
银浆
,
片状银粉
,
银膜方阻
