柯德庆
,
潘应君
,
张恒
,
陆旭峰
,
洪波
,
徐源源
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.018
以WC、TiB2和Co粉末为原材料,采用原位反应液相烧结工艺,在1400℃真空烧结炉中制备了WCoB-TiC复相金属陶瓷.利用FE-SEM、EDS和XRD等技术,研究了不同含量晶粒长大抑制剂Cr3C2对WCoB-TiC金属陶瓷组织和性能的影响.结果表明,添加Cr3C2能有效抑制WCoB-TiC金属陶瓷晶粒异常长大,使得材料获得更均匀细小的微观组织,并且提高硬度和耐磨性能.随着抑制剂Cr3C2含量的增加,金属陶瓷的晶粒更细小均匀(晶粒尺寸可达1.0μm),硬度随之升高到91.0HRA,并且耐磨性能得到明显改善,磨损损失质量远小于未添加Cr3C2的试样.
关键词:
WCoB-TiC金属陶瓷
,
原位反应液相烧结
,
晶粒长大抑制剂
,
Cr3C2
徐源源
,
潘应君
,
柯德庆
,
杨林
,
王盼
材料科学与工艺
doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160173
为细化WCoB-TiC-Co复相金属陶瓷晶粒,改善其组织,提高其力学性能,以WC、TiB2和Co粉末为主要原材料,采用真空液相原位反应烧结工艺,在1 400℃真空烧结炉中制备了WCoB-TiC-Co复相金属陶瓷.利用FE-SEM、EDS和XRD等技术,研究了不同含量的晶粒长大抑制剂VC对WCoB-TiC-Co复相金属陶瓷组织、物相构成、硬度、密度、耐磨性及抗弯强度和断口形貌等性能的影响.结果表明:添加适量的VC能有效细化WCoB-TiC-Co复相金属陶瓷晶粒,使得材料获得更均匀细小的微观组织,增加材料韧性和断口不平整性,增强材料抗弯强度,并且提高硬度、密度和耐磨性;当VC的质量分数增加到0.9％时,金属陶瓷的晶粒平均尺寸可细化到约1.3 μm,硬度随之升高到91.5 HRA,抗弯强度达到794 MPa;但VC的质量分数继续增加到1.2％、1.5％时,其硬度、密度、耐磨性及抗弯强度均会有所降低.
关键词:
WCoB-TiC-Co复相金属陶瓷
,
真空液相原位反应烧结
,
晶粒长大抑制剂
,
VC
刘斌
,
木宗云
,
唐志军
,
邹能
,
唐爽
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2016.06.002
采用粉末冶金工艺制备了无晶粒生长抑制剂和添加晶粒生长抑制剂VC的WC-6.5％Co超细硬质合金.利用JSM5600LV扫描电镜观察不同烧结温度条件下制备试样的WC晶粒三维形貌.结果表明:在烧结温度为1 360℃到1 500℃范围内,无晶粒生长抑制剂的合金中,WC晶粒的形貌会从多面体演变为截角的三棱柱;添加晶粒生长抑制剂的合金中,WC晶粒的形貌会由层状结构转变为尖角三棱柱结构.晶粒生长抑制剂的添加,不仅减缓了W/C的溶解-析出过程,而且改变了W/C原子的析出方式.WC晶粒的各个晶面生长速率不同,引起了其晶体三维形貌的变化.对于添加抑制剂的合金来说,在较低温下烧结并延长保温时间不能使晶粒形貌发育充分,只有提高烧结温度,WC晶粒才能发育成完整的尖角三棱柱.
关键词:
WC-Co
,
抑制剂
,
VC
,
烧结
,
晶粒形貌
