LIU Yongkun Southwestern Institute of Technology and Engineering
,
Chongqing
,
ChinaYANG Shihao Shandong Polytechnical University
,
Jinan
,
China
金属学报(英文版)
Using liquid quenching technique,the change of growth mode of graphite in cast iron melt was analysed.Based on the interface structure theory of crystal growth,the concept of multiplication of spiral growth steps was advanced and two basic multiplication models were given.It was proposed that multiplication of spiral steps is responsible for the change of growth mode of graphite in cast iron melt.The modifying elements such as Ce promote multiplication of spiral steps,which is regarded as the core of modification.Origination of screw dislocation and branch of the sector blocks in radius direction,both of which are essential to spheroidization of graphite in the melt,are caused by multiplication of spiral steps:and so is thickening of graphite plates.
关键词:
graphite
,
null
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null
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null
严军辉
,
坚增运
,
朱满
,
常芳娥
,
许军锋
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00553
通过电磁悬浮(EML)熔炼设备对Al-70%Si合金进行深过冷处理, 利用高速摄影仪(HSC)和SEM分别对凝固过程和凝固后的组织进行了观测, 研究了不同过冷度下初生Si的生长规律. 结果表明, 过冷度对初生Si的生长有很大影响. 当过冷度较小时, 初生Si为粗大的长条状, 有特殊的边和面, 且具有明显的孪晶痕迹, 表现出小平面生长的特征; 当过冷度较大时, 初生Si为细小的枝晶和球状晶, 表面光滑, 表现出非小平面生长的特征; 当过冷度居于中间时, 初生Si为粗大的块状和规则排列的枝晶状, 块状有特殊的边和面, 枝晶表面光滑, 表现出小平面和非小平面混合生长的特征. 随着过冷度的增加, 初生Si的生长方式由小平面生长转变为中间方式生长, 再由中间方式生长转变为非小平面生长, 生长方式间发生转变的临界过冷度分别为122 和230 K.
关键词:
Al-70%Si合金
,
电磁悬浮
,
高速摄影仪
,
深过冷
,
初生Si
,
生长方式
朱祎国
材料研究学报
构造三维蒙特卡罗模型,研究了六边形基底薄膜生长的过程.在模型中针对每个原子考虑了原子沉积,原子扩散及原子脱附三个动力学过程,并认为这三个过程是相互独立的,即在同一计算步长中三个过程依据各自的概率发生.经过生长过程可视化的结果表明,薄膜原子之间的相互作用能、基底温度和沉积速率对薄膜的生长方式有显著的影响.这一结论得到了实验的验证.
关键词:
材料科学基础学科
,
薄膜生长
,
三维Monte Carlo模型
,
生长方式
,
形貌
严军辉
,
坚增运
,
朱满
,
常芳娥
,
许军锋
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00553
通过电磁悬浮(EML)熔炼设备对Al-70％Si合金进行深过冷处理,利用高速摄影仪(HSC)和SEM分别对凝固过程和凝固后的组织进行了观测,研究了不同过冷度下初生Si的生长规律.结果表明,过冷度对初生Si的生长有很大影响.当过冷度较小时,初生Si为粗大的长条状,有特殊的边和面,且具有明显的孪晶痕迹,表现出小平面生长的特征;当过冷度较大时,初生Si为细小的枝晶和球状晶,表面光滑,表现出非小平面生长的特征;当过冷度居于中间时,初生Si为粗大的块状和规则排列的枝晶状,块状有特殊的边和面,枝晶表面光滑,表现出小平面和非小平面混合生长的特征.随着过冷度的增加,初生Si的生长方式由小平面生长转变为中间方式生长,再由中间方式生长转变为非小平面生长,生长方式间发生转变的临界过冷度分别为122和230 K.
关键词:
Al-70％Si合金
,
电磁悬浮
,
高速摄影仪
,
深过冷
,
初生Si
,
生长方式
