王钰萍
,
叶春丽
,
吕建国
,
丛宏林
,
江忠永
,
叶志镇
材料科学与工程学报
本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜，研究了生长温度对多层膜特性的影响，发现AZO／Cu双层薄膜具有最优的光电性能，其最佳生长温度为100～150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO／Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响，结果表明：合适的生长温度有利于改善AZO／Cu双层薄膜的晶体质量，进而提高其光电性能；150℃下沉积的薄膜具有最佳品质因子1．11×10^-2Ω^-1，此时方块电阻为8．99Ω／sq，可见光透过率为80％，近红外反射率约70％。本文在较低温度下制备的AZO／Cu双层膜具有较优的透明导电性和良好的近红外反射性，可以广泛应用于镀膜玻璃、太阳能电池、平板显示器等光电领域。
关键词:
AZO
,
多层结构薄膜
,
光电性能
,
生长温度
史永贵
,
王东
,
张进成
,
张鹏
,
史学芳
,
郝跃
人工晶体学报
以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响.研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长.而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度.因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要.而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯.
关键词:
石墨烯
,
化学气相沉积
,
表面粗糙度
,
生长温度
,
冷却速率
李刚
,
李志刚
,
徐先锋
材料热处理学报
利用热化学气相沉积系统(CVD),用乙炔为碳源,氮气为载气,氢气为还原气体,氨气为刻蚀气体,在单晶硅上制备定向碳纳米管薄膜.通过扫描电镜(SEM)观察不同反应温度对碳纳米管薄膜的形貌影响,并通过接触角测量仪评估薄膜的浸润性.结果表明,生长温度对碳纳米管薄膜的定向性程度及其尺度有很大的影响,温度太低不利于定向碳纳米管的形成,太高也会阻碍定向生长,适合定向碳纳米管生长的温度在850℃左右；通过生长温度改变碳纳米管薄膜的表面微观形貌就可以大幅度地调控其表面的浸润性能,从亲水79.9°到超疏水155.4°.碳纳米管的定向程度、尺寸和浸润性等特性可以用生长温度来加以调控.
关键词:
碳纳米管
,
生长温度
,
浸润性
,
接触角
,
可控性
孙成真
,
贾志刚
,
尚林
,
孙佩
,
余春燕
,
张华
,
李天保
人工晶体学报
利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对GaN外延薄膜晶体质量的影响.结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的GaN外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度.过低或过高的成核温度都会导致GaN外延层的晶体质量和光电性能变差.
关键词:
GaN
,
金属有机化学气相沉积
,
成核层
,
生长温度
王振华
,
杨安丽
,
刘祥林
,
魏鸿源
,
焦春美
,
朱勤生
,
杨少延
,
王占国
人工晶体学报
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量.研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰.这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致.室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质,发光强度随着温度的降低而降低.
关键词:
ZnO
,
甲醇
,
MOCVD
,
生长温度
王钰萍
,
吕建国
,
叶志镇
材料科学与工程学报
本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO/Cu、Cu/AZO和AZO/Cu/AZO三种复合结构多层膜,研究了生长温度对多层膜特性的影响,发现AZO/Cu双层薄膜具有最优的光电性能,其最佳生长温度为100~150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO/Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响,结果表明：合适的生长温度有利于改善AZO/Cu双层薄膜的晶体质量,进而提高其光电性能;150℃下沉积的薄膜具有最佳品质因子1.11×10-2Ω-1,此时方块电阻为8.99Ω/sq,可见光透过率为80%,近红外反射率约70%。本文在较低温度下制备的AZO/Cu双层膜具有较优的透明导电性和良好的近红外反射性,可以广泛应用于镀膜玻璃、太阳能电池、平板显示器等光电领域。
关键词:
AZO
,
多层结构薄膜
,
光电性能
,
生长温度
晏益志
,
殷学鹏
,
刘翔
,
陈清明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13562
通过化学共沉淀法制备了 La0.67Sr0.33MnO3：Ag0.08(LSMO：Ag0.08)多晶材料，然后采用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaAlO3(LAO)倾斜衬底上制备了LSMO：Ag0.08薄膜。研究了衬底温度和生长氧压对薄膜结构、电输运特性及激光感生电压(LIV)效应的影响。结果表明：当衬底温度为790℃、生长氧压为45 Pa时，薄膜具有最大峰值电压(Up)、优值(Fm)和各向异性Seebeck系数(?S)；在优化的衬底温度和生长氧压条件下，长程Jahn-Teller协变引起?S数值提高，这是LIV信号增强的主要原因。
关键词:
衬底温度
,
生长氧压
,
脉冲激光沉积
,
激光感生电压
,
Seebeck系数
高阳
,
张燕萍
,
王莉莉
,
张哲娟
,
潘立坤
,
陈弈卫
,
孙卓
,
杨介信
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.009
将石墨衬底浸泡于0.5 mol/L Ni(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜.研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响.通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小.同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强.实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度.
关键词:
碳纳米管
,
场发射性能
,
石墨衬底
,
生长温度
,
Ni(NO3)2溶液
常晓阳
,
尧舜
,
杨翠柏
,
张杨
,
陈丙振
,
张小宾
,
张奇灵
,
王智勇
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.002
采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长GaxIn1-xP外延层,探究不同生长温度对GaxIn1-xP材料的无序生长特性的影响.为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由GaxIn1-xP材料组分改变引起的带隙偏移.最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高GaxIn1-xP材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5％.
关键词:
GaxIn1-xP
,
无序度
,
生长温度
,
太阳能电池
付少利
,
李生娟
,
刘平
,
陈小红
,
刘新宽
,
李伟
,
马凤仓
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.034
采用化学气相沉淀法(CVD)制备了分布均匀的 Cu/CNTs 复合粉末,利用 SEM,TEM和 Raman 光谱分别对其形貌和结构进行表征.结果表明,采用10％(质量分数)Cr催化剂,混合气体(Ar/H2/C2 H4)比例为8∶24．5∶3,生长温度为800℃、生长时间为30 min 时,制备的碳纳米管管壁光滑洁净、管径粗细均匀、几乎没有缺陷,碳纳米管的形貌最佳.
关键词:
Cu/CNTs复合粉末
,
Cr/Cu催化剂
,
反应气体比例
,
生长时间
,
生长温度
