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A novel nanostructure and multiferroic properties in Pb(Zr(0.52)Ti(0.48))O(3)/CoFe(2)O(4) nanocomposite films grown by pulsed-laser deposition

Journal of Physics D-Applied Physics

Multiferroic nanocomposite thin films containing Pb(Zr(0.52)Ti(0.48))O(3) (PZT) and CoFe(2)O(4)(CFO) with a novel nanostructure are deposited on (1 0 0)-oriented Nb-doped SrTiO(3) (STO) substrates by pulsed-laser deposition. Structural characterizations show that only PZT and CFO phases exist in the composite films, and the perovskite-structured PZT nano-pyramids with diameters of 50-100 nm are randomly embedded in the spinel-structured polycrystalline CFO matrix. Ferroelectric and magnetic hysteresis loops are simultaneously observed at room temperature. Magnetic-field-dependent capacitance measurement reveals an increase in capacitance of about 1.46% with an applied magnetic field. The multiferroic properties in the nanocomposite are also characterized by ferroelectric and magnetic domain imaging in the local areas of the sample.

关键词: heterostructures

固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析

曹雪 , 舒永春 , 叶志成 , 皮彪 , 姚江宏 , 邢晓东 , 许京军

人工晶体学报

本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.

关键词: 热力学 , 固态源分子束外延 , InGaP , GaAs , 异质结构

半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究

邱永鑫 , 李美成 , 熊敏 , 张宝顺 , 刘国军 , 赵连城

稀有金属材料与工程

利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.

关键词: 分子束外延 , 异质结 , 超品格 , Sb/As交换反应

石墨烯基二维垂直异质结的制备及光电子器件

戴明金 , 高峰 , 杨慧慧 , 胡云霞 , 胡平安

材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20170084

石墨烯和类石墨烯二维半导体材料因其独特的物理化学性质受到研究人员的广泛关注,将二者结合组成的石墨烯基二维垂直异质结近年来备受研究者的青睐.本文简要介绍了石墨烯基二维垂直异质结的基本概念和性质,综述了石墨烯基二维垂直异质结制备技术的最新进展情况,对比分析了不同制备方法各自的优缺点,总结了石墨烯基二维垂直异质结在光电子学器件应用的最新进展.最后对石墨烯基二维垂直异质结的研究和发展方向做了展望.

关键词: 石墨烯 , 二维材料 , 异质结 , 光电子

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