何金江
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陈明
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朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
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贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
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银
,
铂
,
钌
郑典模
,
潘鹤政
,
屈海宁
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陈骏驰
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彭静红
硅酸盐通报
本文采用硅粉水解-胶粒整理法制备硅晶片抛光所用硅溶胶,考察了单质硅粉的加入量、反应时间、反应温度、硅溶胶底液浓度、催化剂种类及用量对硅溶胶胶粒平均粒径增长的影响,得到最佳工艺条件:单质硅粉的最佳加入量为25 g、反应时间7h、反应温度80℃、硅溶胶底液的质量浓度为8％、选稀氨水为催化剂、用量为12 mL,在此条件下可制备得到平均粒径为20 nm的硅溶胶产品.经过多次粒子生长可以制备得到适用于硅晶片抛光产业的高纯度大粒径硅溶胶.
关键词:
硅晶片抛光
,
高纯度
,
大粒径
,
硅溶胶
刘彩利
,
赵永庆
,
田广民
,
刘啸锋
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.02.09
介绍了现代烧结技术(微波烧结、放电等离子烧结、选择性激光烧结)、先进高纯材料制备技术(电子束精炼、区域熔炼、等离子弧熔炼)、近净成形技术(3D打印、金属注射成形、高能喷涂成形)和抗氧化技术(涂层、复合材料等)4类先进制备技术.阐述了基本原理、技术优势、国内外研究现状及其在难熔金属材料制备方面的初步应用,并指出难熔金属材料的制备正在向着更高纯度、更高抗氧化性能及近终成形方向发展.最后提出了采用先进技术制备高性能难熔金属材料亟待解决的一些突出问题:从实验室走向实际应用还需要大量的的试验和基础研究数据;需要进一步提高难熔金属单晶纯度、扩大单晶品种和规格;近净成形件完全代替传统锻件要先解决内部组织和缺陷的控制、综合力学性能的调控等;高温抗氧化时长需进一步提高.
关键词:
难熔金属材料
,
现代烧结
,
高纯
,
近净成形
,
抗氧化
谈高
,
刘来宝
,
廖其龙
功能材料
以四川广元金子山所产天然脉石英为主要原材料,经表面擦洗、破碎、磁选、煅烧、水淬、粉磨、酸浸、清洗、过滤及烘干等工艺措施对其除杂处理,制备了SiO2含量〉99.99%的高纯超细SiO2粉体。研究了单一酸、混合酸酸浸处理对Al、Fe主要有害杂质的去除效果,获得了技术可行、经济合理的酸浸工艺路线。所得样品粉体粒径d50约为291nm,Al含量为1.365×10-5,Fe含量为2.36×10-6,达到了电子行业标准对硅微粉技术指标的要求。
关键词:
天然脉石英
,
高纯
,
超细
,
粉体
成维
,
黄美松
,
苏正夫
,
王志坚
,
贾帅广
,
杨露辉
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20150309
LaB6是一种优异的热电子阴极材料,高纯度高致密度多晶体是制备单晶体的关键原材料,而大尺寸单晶体是目前研究热点.采用B4C还原法制备LaB6粉末,并经化学提纯处理,得到99.7％的高纯LaB6粉末;采用分步加压工艺真空热压制备高致密度LaB6多晶体.φ50 mm多晶体相对致密度达到90％以上,φ30 mm多晶体相对致密度达到95％以上,比传统热压工艺产品致密度高,能源节约10％以上.
关键词:
LaB6
,
B4C还原
,
真空热压
,
高纯
,
高致密度
,
稀土
陈松
,
谢明
,
管伟明
,
张吉明
,
胡洁琼
,
任县利
,
李爱坤
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.013.023
目前大量使用的钌靶主要用粉末冶金方法制备，所用原料为高纯钌粉。粉末质量是影响钌靶制备和使用性能的关键问题。基于文献和实验，详细列出了高纯钌粉在纯度、尺寸等方面的具体特征，给出了高纯钌粉的具体指标和要求。系统概述了高纯钌粉的主要制备工艺路线和流程(包括物料预处理、氧化溶解、氧化蒸馏、吸收浓缩、沉淀结晶、煅烧分解、还原制粉)，以及各过程中的主要原理、工艺步骤和加工方法。在此基础上，系统总结和归纳了目前国内外主要厂家和研究机构的主要生产工艺和流程，并对其制备方法、工艺路线及特点进行了分析和讨论。在研究制备原理和工艺的基础上发现控制杂质含量的基本原则，即通过多次反复四氧化钌的氧化蒸馏和吸收这一过程可降低杂质阳离子含量，而通过煅烧、氢气还原、真空处理等可以有效去除杂质阴离子，根据钌粉中超标的离子种类，就可确定需要改进的工艺环节和步骤。分析了热等静压、放电等离子烧结和真空热压等方法制备钌靶时，所需钌粉在纯度和晶粒尺寸方面的具体要求，以及钌粉末的晶粒尺寸和形貌对靶材的机械加工性能、溅射性能的影响。最后给出了高纯钌粉制备技术方面急待解决的重要问题和发展方向。
关键词:
钌粉
,
高纯
,
制备技术
,
生产工艺
,
钌靶
邓姝皓
,
张朵朵
,
周金湘
,
刘会群
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15031902
采用六因素三水平的正交设计法优化工艺条件,确定用电沉积的方法从废旧印刷电路板(PCB)中提纯铜制备高强高纯铜箔的最佳工艺条件.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和电感耦合等离子发射光谱分析仪(ICP)对最优条件下制备的铜箔进行表征;并对此铜箔的力学、电学性能和耐腐蚀性能进行研究.结果表明,在酸性硫酸铜溶液中,采用脉冲电源,40℃下,当周期为50 ms,占空比为0.95,电流密度为50 mA·cm-2,添加剂十二烷基硫酸钠(SDS) 1.5 g·L-1和聚乙二醇(PEG) 20 g·L-1时,可制备出厚度低于15 μm的表面光滑均匀的铜箔,铜箔纯度为99.91％.其微观形貌为紧密堆积的圆形颗粒,平均晶粒尺寸为60 nm,具有明显的(111)晶面择优取向.铜箔强度为337MPa,电阻率为2.8×10-6Ω·cm,耐腐蚀性能优异.采用电化学方法回收废旧电路板金属制取的产品附加值高,工艺简单环保,而且铜的回收率可以达到67％以上.
关键词:
废旧电路板
,
回收
,
电沉积
,
高纯
,
高强
,
铜箔
