凌惠琴
,
丁冬雁
,
周晓强
,
李明
,
毛大立
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射法制备了TiO2/Al2O3堆栈结构高k栅介质薄膜,研究了不同后处理条件对等效氧化物厚度,界面电荷和界面扩散的影响.实验结果表明:400℃退火后,TiO2已经结晶,退火可以降低漏电流密度和介电层中的电荷密度.同时,退火使Ti进一步向Al2O3层扩散,形成TiO2和A12为O3的混合层,Al2O3层过薄时不能有效阻挡TiO2的扩散.
关键词:
TiO2/Al2O3
,
堆栈结构
,
high-k
,
界面层
聂祥龙
,
马大衍
,
徐可为
稀有金属材料与工程
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO2高介电质薄膜.系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO2薄膜生长质量的影响.通过工艺调控,发现存在两种薄膜生长模式:类CVD(化学气相沉积)生长模式和ALD生长模式.发现薄膜的生长模式主要依赖于制各工艺参量:脉冲参量M和冲洗参量Q,通过优化工艺参数,可实现薄膜生长由类CVD生长模式向ALD生长模式的转变,并获得了0.1 nm/周次的最优薄膜生长速率.同时,薄膜微结构与表面形貌的表征结果表明:薄膜的非晶晶态转变受温度和膜厚两个因素共同控制.
关键词:
高介电质薄膜
,
HfO2
,
原子层沉积
,
生长行为
