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Zr(Cr, V)2 Laves相长周期堆垛结构的高分辨电子显微术观察

周鸥 , 姚强 , 孙坚

金属学报

应用高分辨电子显微术对退火态Zr(Cr, V)2 Laves相的显微结构进行了观察.结果表明退火态Zr(Cr, V)2 Laves相在低倍显微观察下呈现层片状组织, 并存在长周期堆垛结构; 高分辨电镜和快速Fourier变换分析证明, 退火态Zr(Cr, V)2长周期结构为C36(4H)结构, 同时存在8H堆垛结构和少量其它过渡性多层堆垛结构. 并就合金元素V对Zr(Cr, V)2 Laves相稳定性的影响进行了讨论.

关键词: Zr(Cr , long-period structure , high-resolution transmission electron microscopy , ZrCr2 , null

硅纳米晶微观结构缺陷的高分辨电子显微学研究

王乙潜 , 梁文双 , Ross Guy

功能材料

利用离子注入结合后续高温退火的方法成功地制备出包埋在二氧化硅(SiO_2)基质中的硅纳米晶.利用透射电子显微学对所制备的硅纳米晶(离子注入浓度为3×10~(17)cm~(-2))的微观结构缺陷进行了详细的研究.通过高分辨像分析发现:较大的纳米晶(直径>6nm)中存在很多面缺陷,主要为孪晶与层错.孪晶包括一次孪晶、二重孪晶、三重孪晶及五重孪晶.层错分为内禀和外禀两种类型,并讨论了内禀层错占多数的原因.除了面缺陷以外,还有一部分纳米晶中存在位错.

关键词: 硅纳米晶 , 透射电子显微学 , 面缺陷 , 线缺陷

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