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氧碳比对MPCVD法同质外延单晶金刚石的影响

吴高华 , 王兵 , 熊鹰 , 陶波 , 黄芳亮 , 刘学维

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.020

以Ⅰb型(100)取向高温高压(HPHT)单晶金刚石为基底、H2-CH4-CO2混合气为反应气源,利用10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置进行金刚石同质外延生长.通过光学显微镜表征外延生长金刚石的表面形貌;Raman光谱表征金刚石的结晶质量;螺旋测微仪测厚...

关键词: 单晶金刚石 , 同质外延生长 , MPCVD , 氧碳比

4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管

孙国胜 , 宁瑾 , 高欣 , 攻全成 , 王雷 , 刘兴昉 , 曾一平 , 李晋闽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008

利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在...

关键词: 4H-SiC , 同质外延生长 , 肖特基二极管

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