材料期刊网

氢气流量对碳纳米管生长的影响

席彩萍

材料开发与应用

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.利用扫描电镜和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明:氢气流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳氢气流量为30 sccm.

关键词: 碳纳米管 , PECVD , 氢气流量