刘其军
,
刘正堂
,
闫锋
电镀与涂饰
为了提高金刚石的红外透过率,根据光干涉膜基础理论对薄膜增透进行了设计,获得了增透膜系的相关参数,并采用非规整设计中的彻底搜索法对所设计的膜系进行了增透效果分析.结果表明,在金刚石衬底上单面和双面镀Y_2O_3膜系后,透过率有明显提高.Y_2O_3膜系是性能优异的金刚石红外光学材料增透膜.
关键词:
金刚石
,
氧化钇
,
薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
增透
,
红外透过率
,
设计
常芳娥
,
唐博博
,
朱满
,
高阿红
,
张龙
,
坚增运
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.005
采用DSC、XRD、SEM、FT-IR、维氏显微硬度计和阿基米德法研究了CsCl对Ge23 Se67 Sb10玻璃特征温度、微观组织,红外透过率、显微硬度和密度的影响规律.研究结果发现,向Ge23 Se67 Sb10玻璃中加入CsCl,可在玻璃基体中析出GeSe2和Sb2Se3晶体相,析晶相的尺寸随CsCl含量的增加而增大;随着CsCl含量的增加,试样的特征温度降低、密度减小、红外透过率下降;Ge23 Se67 Sb1o玻璃的显微硬度随CsCl含量的增加具有先增大后减小的规律,CsCl含量为2％时,显微硬度达到了208MPa,比基体玻璃提高了近16％.
关键词:
红外玻璃
,
微晶化
,
晶核剂
,
红外透过率
毛茂
,
黄婉霞
,
张雅鑫
,
颜家振
,
罗轶
,
施奇武
,
蔡靖涵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12131
通过溶胶-凝胶法制备纯的VO2和W掺杂的VO2薄膜,并且进行了XPS、AFM和XRD的分析与表征,并观察了其微观形貌和结构.同时研究了VO2和W掺杂VO2在红外光谱(λ=4μm)和THz(0.3～1.0 THz)区域的金属-绝缘转变性能.结果表明:室温下W掺杂的VO2薄膜在红外和THz区域的初始透过率都比纯的VO2薄膜低.在THz波段,W掺杂的VO2表现出更低的相变温度.同时在VO2和W掺杂VO2相变过程中,观察到了金属-绝缘转变和结构转变的现象,W掺杂VO2具有明显的峰位偏移现象.
关键词:
二氧化钒
,
红外透过率
,
太赫兹
,
钨掺杂
刘伟
,
朱世富
,
赵北君
,
陈宝军
,
何知宇
,
杨登辉
,
谢虎
,
赵张瑞
人工晶体学报
对采用改进的垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体样品,在300 K,10 MeV高能电子束下进行辐照实验,测试辐照前后其红外透过率.同时,对样品进行同成分粉末包裹退火处理,对比两种工艺对磷锗锌晶体红外透过率的影响.实验结果表明,退火和高能电子辐照都能对磷锗锌晶体的红外光学性质产生影响,提高其红外透过率.在本文的实验条件下,退火工艺对磷锗锌晶体红外透过率的提高更为明显.
关键词:
磷锗锌
,
高能电子辐照
,
退火
,
红外透过率
赵张瑞
,
朱世富
,
赵北君
,
陈宝军
,
何知宇
,
杨登辉
,
刘伟
,
谢虎
,
吴嘉琪
人工晶体学报
采用退火和电子辐照相结合的复合工艺方法,对ZnGeP2晶体进行生长后处理.采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和高阻仪(HRM)等,对经不同次序的复合工艺处理前后样品的红外透过率和电阻率进行了测试.结果表明,采用先退火后电子辐照的复合处理工艺,样品的红外透过率能得到明显的提高.
关键词:
ZnGeP2
,
退火
,
电子辐照
,
复合处理
,
红外透过率
