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共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12粉体

张烨 , 陈先强 , 秦海明 , 罗朝华 , 蒋俊 , 江浩川

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160075

通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12(GAGG)前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征.分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1 100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体.采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察.GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰.在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度.

关键词: Gd3(Al,Ga)5O12陶瓷 , 共沉淀 , 煅烧 , 无机闪烁体

强辐射对Yb∶YAG超快无机闪烁探测器灵敏度影响的实验测量

胡孟春 , 李忠宝 , 甫跃成 , 刘建 , 唐登攀 , 李如荣 , 王文川 , 黄雁 , 陈力雄

人工晶体学报

为了给强脉冲辐射场中应用超快闪烁探测器进行精密物理测试以及相关晶体抗核加固提供实验测量数据参考,针对近年新研制的Yb∶ YAG超快无机闪烁体与GD40光电管构成的快闪烁探测器,在源强近万居的强稳态辐照场中,细致测量了辐射累计伽马剂量从约1 Gy开始到最高约1 kGy全过程中Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出电流的变化数据;在测点注量率大于1017cm-2·s-1的“强光一号”短γ脉冲辐射场中,测量了Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出脉冲波形响应情况.实验测量结果表明:在强稳态辐射场情况下,对应累计剂量5 ~ 10Gy时,YAG(Yb)闪烁探测器灵敏度下降约5~10%(相对辐照IGy时的情况);测点累计伽马剂量约1 kGy时,Yb∶ YAG超快闪烁探测器的电流输出与约1 Gy时的比值约50%;短γ脉冲辐射情况下,测点累计注量约4×109 cm-2,Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出电流约1A时,灵敏度下降约10%(相对累计注量约3×109 cm-2的情况),当测点注量大于1010 cm-2(累积剂量超过100 mGy),Yb∶ YAG超快闪烁探测器会出现较明显的损伤现象.

关键词: 辐射探测 , 无机闪烁体 , Yb∶YAG , 辐照损伤 , 强光一号

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