王青亮
,
赵洪生
,
沈利
,
栗争光
,
赵九洲
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00071
研究了不同组成的KF-AlF3系溶剂对KBF4与Al熔体界面反应的影响. 结果表明,采用不同组成的KF-AlF3系溶剂时, 在氟化盐/Al界面处均有铝硼化合物层形成;当采用共晶成分或过共晶成分KF-AlF3溶剂时...
关键词:
Al
,
KBF4
,
AlF3
,
interfacial reaction
,
solvent composition
刘耀辉
,
于思荣
,
何镇明
,
李庆春
金属学报
本文以Al_2O_3/中锰钢复合材料为对象,探讨了在不同温度和保温时间下Ce对润湿角的影响及其作用机理。结果表明,适量Ce或在较高的温度及较长的保温时间下,可以使润湿角显著下降,由不润湿转化为润湿。Ce改善润湿性的机理是其在界面上的吸附、富集及所产生的界面化学反应,反应产物是CeAlO_3。界面反应...
关键词:
铈
,
wettability
,
interfacial reaction
,
Al_2O_3
李明雨
,
安荣
,
王春青
金属学报
进行了交变电磁辐射下附Au/Ni镀层BGA焊盘上SnPb共晶钎料球感应自发热重熔形成钎料凸台的实验,并分析了感应自发热重熔以及固态老化对SnPb共晶钎料与Au/Ni镀层焊盘界面反应的影响。研究结果表明,交变电磁辐射一次重熔与红外重熔结果一样使Au镀层完全消失,并在钎料中形成离散的针状AuNiSn4,...
关键词:
SnPb共晶钎料
,
BGA
,
interfacial reaction
刘猛
,
李顺
,
白书欣
,
赵恂
,
熊德赣
材料导报
详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/C...
关键词:
电子封装材料
,
SiCp/Cu
,
制备方法
,
界面反应
,
界面调控
王鹏鹏
,
郭宏
,
张习敏
,
尹法章
,
范叶明
,
韩媛媛
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.04.003
金刚石/铜复合材料(Diamond/Cu)的界面层相比基体与增强体有显著的化学成分变化,具有促进彼此结合、传递载荷的作用.Diamond/Cu复合材料作为热管理材料,热导率是一个关键性能参数.在众多影响因素中,界面对热导率的影响尤为重要.主要研究Diamond/Cu复合材料的界面组成,及成分梯度分布...
关键词:
金刚石/铜复合材料
,
界面
,
界面反应
,
成分梯度
杨延清
,
罗贤
,
黄斌
,
李建康
,
陈彦
材料热处理学报
采用三点弯曲法测定了SiC纤维单向增强的Ti-6Al-4V复合材料的表观断裂韧性,讨论了界面反应对断裂韧性的影响.研究结果表明,在裂纹尖端塑性变形区的未断纤维的桥联对复合材料的断裂韧性起很大的作用.经过热处理后,SiCf/Ti-6Al-4V复合材料的断裂韧性降低,主要是由于严重的界面反应,使得SiC...
关键词:
复合材料
,
SiC纤维
,
Ti-6Al-4V
,
断裂韧性
,
界面反应