万齐欣
,
熊志华
,
李冬梅
,
刘国栋
,
甘丽新
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究.研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级.同时,研究发现, Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大.其中,Zni-AgZn 呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势.因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成.
关键词:
Ag掺杂ZnO
,
本征缺陷
,
第一性原理
,
电子结构
张纪伟
,
金振声
,
张经纬
,
李秋叶
,
张治军
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2015.04.285
为阻止纳米管钛酸在转变为新型锐钛矿TiO2时管状结构的破坏,先在纳米管钛酸的内、外表面化学吸附一层物质,用以保护纳米管钛酸在脱水转变为新型锐钛矿TiO2的过程中,管状结构不断裂、不塌陷,然后再除去表面的吸附物质,即可制得纯净的新型TiO2纳米管.新型TiO2纳米管有望应用于可见光“全”分解水制H2、药物缓释剂以及纳米反应器等研究.
关键词:
纳米管钛酸
,
本征缺陷
,
新型TiO2纳米颗粒
,
新型TiO2纳米管
陈俊
,
王希恩
,
严非男
,
梁丽萍
,
耿滔
人工晶体学报
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能.结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(Vo2+和Vcd2-)存在.晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型.Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关.
关键词:
模拟计算
,
CdMoO4晶体
,
GULP
,
本征点缺陷
夏贯芳
,
刘廷禹
,
张涵
,
高肖丽
人工晶体学报
采用GULP软件研究了硅酸镥晶体的本征缺陷、力学性质和氧空位的迁移.采用已有的势参数计算得到的结构参数与实验结果吻合的很好.与其他的氧空位相比,Vo5的缺陷形成能最低,因此氧空位主要以Vo5的形式存在.O的弗伦克尔缺陷具有最低的缺陷形成能,所以氧的弗伦克尔缺陷可能是晶体中存在的最主要的本征缺陷.本文还计算了晶体的弹性常数、体积模量、压缩系数、杨氏模量、泊松比率等力学性质.通过计算相邻氧格位之间氧空位的迁移能,发现O1,O2,O3和O4之间的迁移比较容易.
关键词:
硅酸镥晶体
,
力学性质
,
本征缺陷
,
氧空位
蔺家骏
,
李盛涛
,
何锦强
,
刘文凤
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160080
研究了微量铝(Al)掺杂对氧化锌(ZnO)压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响及其作用机理.研究结果表明,介电损耗峰值能够在一定程度上反映ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度,微量Al掺杂能够引起ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度的显著降低.氧空位缺陷对应的损耗峰峰值从88.82下降到1.74,锌填隙缺陷对应的损耗峰峰值从133.38下降到8.14.随着Al掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷平均晶粒尺寸从9.15 μm逐渐下降到6.24 μm,而压敏电压从235 V/mm逐渐提高到292 V/mm.可见Al掺杂抑制了ZnO压敏陶瓷中本征点缺陷的形成,而本征缺陷浓度的降低导致材料显微结构和电性能发生明显变化.本文阐述了Al掺杂对ZnO压敏陶瓷本征缺陷的影响机理,建立了ZnO压敏陶瓷显微形貌、电性能、介电性能和本征点缺陷之间的联系.
关键词:
ZnO压敏陶瓷
,
Al掺杂
,
本征点缺陷
