林松盛
,
周克崧
,
代明江
中国有色金属学报
采用阳极型气体离子源结合非平衡磁控溅射的方法,在单晶硅及Ti6Al4V钛合金基体上制备掺钨类金刚石多层膜(DLC/WC),利用俄歇电子谱(AES)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)及X射线衍射(XRD)等对膜层的过渡层、界面及微观结构进行研究.结果表明:所制备的膜层厚2.7μm,硬度高达3550HV,摩擦因数为0.139,与Ti6Al4V基体结合力为52 N;W主要以纳米晶WC的形式与非晶DLC形成WC/DLC多层膜,该多层膜仍呈现出类金刚石膜的主要特征.
关键词:
类金刚石/碳化钨多层膜
,
微观结构
,
离子源
,
非平衡磁控溅射
李鹏飞
,
陈俊芳
,
符斯列
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.04.023
目的 制备性能优异的氮化铝薄膜.方法 采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法 制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si(100)基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)分析氮化铝薄膜的结构、晶面取向、表面形貌及薄膜表面粗糙度,使用紫外可见分光光度计测定薄膜的透过率,并计算薄膜的禁带宽度.研究气压的大小对磁控溅射制备氮化铝薄膜微观结构的影响.结果 在各气压下,薄膜生长以(100)面取向为主.在0.7Pa前,(100)面的衍射峰强度逐渐增强,0.7 Pa之后减弱.(002)面衍射峰强度在0.6Pa之前较大,0.6Pa之后变小.各气压下薄膜表面均方根粗糙度均小于3nm,且随着气压的增大先增大后减小,0.7 Pa时最大达到2.678nm.各气压下所制备薄膜的透过率均大于60%,0.7Pa时薄膜的禁带宽度为5.4eV.结论 较高气压有利于(100)晶面的生长,较低气压有利于(002)晶面的生长;(100)面衍射峰强度在0.7 Pa时达到最大;随气压的增大,薄膜表面粗糙度先增大后减小;所制备的薄膜为直接带隙半导体薄膜.
关键词:
气压
,
磁控溅射
,
氮化铝薄膜
,
离子源
,
粗糙度
,
直接带隙
肖坤祥
,
艾军
,
史桂娟
,
向伟
,
梁川
,
梅林
原子核物理评论
为满足国内油田石油测井的迫切需要,对小直径测井中子发生器进行了研发。该发生器离子源采用微型化冷阴极Penning离子源,离子光学采用结构简单的单极加速系统。经实验室测试和用户现场刻度及测井表明,研制的中子发生器具有耐高温、产额高、稳定性好等特点,是目前国内研制的最小直径的工业测井中子发生器。所测数据与其它测井方法相比较,地质资料符合性好,满足了用户测井要求,现已用于油田生产测井。
关键词:
石油测井
,
离子源
,
中子发生器
