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离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响

程萍 , 郝建民

兵器材料科学与工程

利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-SiC外延片中本征缺陷ESR谱的影响.结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61％,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63％以上.

关键词: 4H-SiC , 离子注入 , 本征缺陷