陈永亮
,
崔雅静
,
杨烨
,
王磊
,
李仪成
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
通过在SmFeAsO中Fe位上掺入5d过渡金属Ir,得到了一种新的铁基超导体SmFe_(1-x)Ir_xAsO,当x=0.05时,样品表现出超导电性,超导转变温度为8K,当x=0. 15时,超导转变温度达到最大值17. 3K X射线衍射结果表明所有样品均属四方ZrCuSiAs-type结构,SEM结果表明SmFe_(1-x)Ir_xAsO样品具有片层状形貌特征,随着Ir掺杂量的增大,晶格参数a增大而c减小,结合EDX数据,表明Ir掺人了SmFeAsO晶格当中.
关键词:
铁基超导体
,
ZrCuSiAs结构
崔雅静
,
陈永亮
,
杨烨
,
王雅真
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
通过先制备一种纳米尺寸的GdF_3作为GdFeAsO_(1-x)F_x样品中F的反应原料,在相对较低的温度(1120℃)下成功制备出一系列GdFeAsO_(1-x)F_x(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25)多晶样品.X射线衍射结果表明,超导样品属四方ZrCuSiAs-type结构,晶格参数随着掺F量的增加而减小.扫描电子显微镜测试结果表明,样品具有片层状晶体形貌特征.当掺F量x=0.1时,样品表现出超导电性,超导转变温度为22K,随着掺F量的增多,超导转变温度升高.和其他制备方法相比,这种制备方法更有利于F的掺入,而且可有效减少样品中杂质相的含量.
关键词:
铁基超导体
,
ZrCuSiAs结构
方爱华
,
谢晓明
,
黄富强
,
江绵恒
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11705
通过采用机械合金化方法制备的高活性的粉体,可以高度可重复性地制备高质量的铁基超导材料Sm0.85Nd0.15FeAsO0.85F0.15.样品具有高临界温度Tc(约51 K)和高临界场Hc2(达到377 T).由WHH公式确定的Hc2显著高于常规固相方法制备样品的典型值 (＜200 T).高的临界磁场Hc2与样品微结构有很大关系.机械合金化处理的原始粉体包含大量的晶格畸变缺陷,在快速升温和低温退火制备的小晶粒陶瓷样品中这些缺陷会部分残留,因此形成有效的磁通钉扎,从而提高样品的临界场.
关键词:
铁基超导体
,
高临界场
,
机械合金化
,
低温烧结
刘志勇
,
索红莉
,
马麟
,
赵俊静
,
倪宝荣
,
郭志超
,
闫镔杰
,
刘敏
,
吴紫平
,
周美玲
稀有金属材料与工程
研究了F掺杂对铁基超导体SmO0.7F0.3FeAs的制备和性能的影响.利用二次固相反应在1120℃保温40h制备出超导临界转变温度(Tc)为56.5 K的SmO0.7F0.3FeAs超导体样品,其临界电流密度Jc为2.4× 105 A/cm2(10 K,0 T).研究发现,SmO1-xFxFeAs样品的Tc受F含量的强烈影响,晶格参数的变化也是诱导SmO1-xFxFeAs超导体的Tc变化的原因之一.在此基础上详细研究了F元素过掺杂对铁基超导体SmO1-xFδFeAs(δ＞x)制备参数和性能的影响.F元素过量时,在不降低SmO1-xFδFeAs超导性能的情况下,F元素过掺杂可以一定程度地降低样品制备时的热处理温度和极大地缩短热处理时间.1100℃时保温20h制备的SmO0.7F0.35FeAs和SmO0.7F04FeAs样品的Tc分别为56和55K;其临界电流密度Jc分别为1.9×105和1.7× 105 A/cm2 (10K,0 T).
关键词:
铁基超导体
,
SmO1-xFδFeAs
,
掺杂
