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镍基合金DD10中γ/γ'晶格错配度厚度效应的X射线衍射分析

王有道吴尔冬王苏程李武会

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00307

利用四轴X射线衍射仪(XRD)测定片状DD10镍基单晶高温合金减薄至不同厚度时基体相(γ)和沉淀强化相(γ')的晶格常数. 根据减薄过程中两相间约束变化得到晶格常数和错配度变化规律, 计算出合金从三维块体错配应力状态向二维平面应力状态转化达到失稳状态的临界厚度以及与不同应力状态对应的晶格错配度. 依照一定的假设条件, 推算出与应力松弛条件对应的无错配应力状态下两相的晶格常数. 分析结果表明: 合金减薄达到临界厚度后, γ'相晶格常数随厚度减小而线性变小, γ相晶格常数无明显变化, 与此对应的晶格错配度绝对值变大; 减薄过程伴随γ/γ'两相间约束的减弱和相间微观应力松弛, 晶格取向差和晶体嵌镶度增大, 表层应力状态向平面应力状态转化. 测量得到的临界厚度与无错配应力状态下的晶格常数可为高温合金单晶材料的应用设计和残余应力测试提供参考.

关键词: 镍基单晶高温合金 , lattice constant , lattice mismatch , XRD

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展

付蕊 , 陈诺夫 , 涂洁磊 , 化麒麟 , 白一鸣 , 弭辙 , 刘虎 , 陈吉堃

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.07.020

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视.介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展.重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法.其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率.此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望.

关键词: Ⅲ-Ⅴ族化合物 , 高效多结太阳电池 , 半导体键合 , 晶格失配

衬底与缓冲层的晶格失配对CeO2缓冲层外延生长的影响

王辉 , 曹丽云 , 王耀 , 金利华 , 吕建凤 , 李成山 , 黄剑锋

稀有金属材料与工程

采用金属有机沉积(MOD)技术在LaAlO3(LAO)、Y稳定的氧化锆(YSZ)和Ni-W衬底上沉积了CeO2缓冲层薄膜,并研究了衬底与缓冲层的晶格失配对其外延生长的影响.结果表明,随着衬底和缓冲层薄膜之间晶格失配的增大,缓冲层薄膜内部的压应变增加,晶界浓度增加,晶粒生长速率减小.衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配越小,越有利于薄膜织构度的增大.CeO2薄膜的表面形貌及粗糙度的演化对衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配并没有明确的依赖关系.

关键词: 涂层导体 , 缓冲层 , 晶格失配

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