林璠
,
孔慧
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201601002
首先采用热蒸发法在镀钼的 PI 衬底上沉积 NaF 薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积 NaF 的 PI 衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对 CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明：随着第二步沉积速率增大,CIGSe 薄膜的晶粒尺寸显著增大,(220/204)择优取向生长逐渐增强；随着钠掺杂量增加,CIGSe 薄膜的电阻率显著下降,晶粒尺寸逐渐减小,择优取向从(220/204)织构方向转变为(112)织构方向,并出现镓的两相分离现象。
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
沉积速率
,
钠掺杂
,
低温生长
