王赫男
,
李瑛
,
王福会
腐蚀学报（英文）
利用磁控溅射技术制备了晶粒尺寸为300 nm~400 nm的 GW102K (Mg-10Gd-2Y-0.5Zr)微晶薄膜.通过动电位极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)研究微晶薄膜在0.2 mol/L Na2SO4水溶液中的腐蚀行为. 极化曲线结果表明, 微晶化加速GW102K靶材合金的阴极过程, 而抑制其阳极过程. EIS结果表明, 微晶化降低GW102K靶材合金在自腐蚀电位下的转移电阻和腐蚀产物膜电阻, 从而降低其耐蚀性.微晶化提供大量的晶粒边界, 氢原子通过晶粒边界快速扩散, 生成氢化物, 从而加速GW102K靶材合金的阴极反应速率. 此外, 微晶化促进金属的阳极溶解, 使微晶薄膜表面形成大量均匀的腐蚀产物, 从而抑制金属的进一步溶解.
关键词:
Mg-10Gd-2Y-0.5Zr
,
microcrystalline (MC) film
,
corrosion behavior
,
hydrides
,
magnetron sputtering
祝元坤朱嘉琦韩杰才梁军张元纯
材料研究学报
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜, 研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化. 结果表明, 薄膜主要以非晶为主, 由Si--C键, C--C键和少量Si的氧化物杂质组成; 在真空条件下经高温退火后, 薄膜C--C键的含量减少, 而Si--C键的含量增加, 真空退火有利于SiC的形成; 在800℃空气中退火后, 薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层, 阻止了氧气与薄膜内部深层的接触, 有效保护了内部的SiC. 在空气条件下, SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.
关键词:
无机非金属材料
,
magnetron sputtering
,
thermal stability
,
high--temperature annealing
,
SiC films
许俊华
,
曹峻
,
喻利花
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00724
采用多靶磁控溅射技术, 分别利用不同V靶功率和石墨靶功率制备一系列不同V含量和C含量的TiVN和TiVCN复合膜.利用X射线衍射仪、纳米压痕仪、高温摩擦磨损仪研究了TiVN和TiVCN复合膜的微结构、力学性能及室温和高温摩擦磨损性能.研究表明, 当V靶功率为60 W时, TiVN薄膜的硬度达到最大值, 为25.02 GPa. 在此基础上逐渐加入C元素, 当石墨靶功率为20 W时, TiVCN薄膜的硬度达到最大值, 为28.51 GPa. 当石墨靶功率进一步增加, 薄膜的硬度值开始逐渐降低. 室温下, 随着石墨靶功率的增加, TiVCN薄膜的摩擦系数逐渐减小. 高温下, TiVCN复合膜的摩擦系数随着温度的升高先增加后减小, 在700℃时获得最小值, 当温度继续升高摩擦系数又增加. 讨论了高温下TiVCN复合膜Magneli相的作用和自适应机制.
关键词:
TiVCN
,
magnetron sputtering
,
mechanical property
,
friction property
,
Magneli phase
李宝河
,
黄阀
,
杨涛
,
冯春
,
滕蛟
,
朱逢吾
金属学报
采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜, 再经不同温度下真空热处理得到有
序L10-(FePt)100-xCux薄膜. 结果表明, Cu的添加可以降低FePt
薄膜有序化温度. [FePt(4 nm)/Cu(0.2 nm)]10多层膜在350 ℃热处理1 h后,
有序度增至0.6, 矫顽力达到421 kA/m. 对插入极薄Cu层促进有序化在较低的温度
下进行的热力学和动力学因素进行了讨论.
关键词:
FePt/Cu多层膜
,
L10-FePt ordered phase
,
magnetron sputtering
吕海波
,
李瑛
,
王福会
中国腐蚀与防护学报
采用电化学方法、化学分析和表面分析技术，系统研究了Cu-20Zr双相铸态合金和磁控溅射Cu-20Zr纳米薄膜在HCl溶液中的脱合金腐蚀规律。对Cu-20Zr双相铸态合金的研究表明，铸态Cu-20Zr合金中的双相为富Zr的Cu51Zr14相，及Cu与Cu51Zr14的共晶组织；在低阳极极化电位条件下，Cu51Zr14相因富含活性组元Zr而优先溶解，说明双相合金的溶解行为首先决定于合金的相及其身的活性。对溅射Cu-20Zr纳米薄膜腐蚀规律的研究表明，在不同电极电位下，薄膜中各元素的溶解规律不同，在电极电位低于Cu的标准电极电位时，材料的腐蚀以富Zr相中Zr组元的优先溶解为主；但当电极电位高于Cu的标准电极电位后，薄膜中Cu、Zr元素同时溶解；随后，由于Cu2+与溶液中的Cl-离子反应，生成氯化铜或氯化亚铜腐蚀产物覆盖于薄膜表面，使Cu的溶解过程受到抑制，但Zr元素却仍然随电极电位的增加而快速溶解。
关键词:
脱合金腐蚀
,
magnetron sputtering
,
nanocrystalline film
于翔
,
王成彪
,
刘阳
,
于德洋
金属学报
利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN/Ti多层膜. 考察了不同Ti间隔层
对多层膜硬度和结合力的影响, 分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理; 利用正交
实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响,
对工艺参数进行了优化. 结果表明, 靶电流对缺陷密度的影响最大, 气体压力次之,
基体偏压对缺陷密度影响最小; 当靶电流I=20 A、气体压力p (Ar+N 2)=0.31 Pa、基体偏压V bias=-60 - -300 V和Ti间隔层厚度x=0.12 um时, 制备出硬度HV 0.2 N =2250、膜基间结合力(临界载荷)L c=48 N和表面缺陷密度ρs=58 mm -2的高质量TiN/Ti多层膜.
关键词:
TiN/Ti多层膜
,
magnetron sputtering
,
mechanical property
王浩
,
黄荣芳
,
洪瑞江
,
吴杰
,
闻立时
材料研究学报
对离子束增强反应磁控溅射低温沉积AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。
关键词:
薄膜
,
AIN
,
magnetron sputtering
