曹志慧
,
任山令
,
李永涛
,
李兴鳌
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.004
通过磁控溅射方法制备了氮含量不同的氮化铁薄膜,观察到随着氮含量的增加,薄膜的导电机制从金属到半导体的转变.霍尔电阻的测量表明在高电阻区域反常霍尔电阻率与纵向电阻率的标度律为线性,即反常霍尔效应遵循斜散射机制,但相应的反常霍尔电导率与纵向电导率的关系不总是线性.
关键词:
磁控溅射方法
,
反常霍尔效应
,
标度律
,
斜散射
孙彩云
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何庆兵
,
李立
,
张隆平
,
吴护林
材料导报
TiB2熔点高、硬度高、密度低、电阻率低、高温下化学稳定性好,是一种应用潜力巨大的涂层材料.磁控溅射法是一种重要的制备TiB2涂层的物理气相沉积方法,具有沉积温度低、基体可选择范围大的优点.分析和总结了偏压大小与极性、基体温度和气压等工艺参数对涂层沉积速率、显微结构(包括形貌、结晶度、织构和晶粒尺寸等)、性能(包括硬度、弹性模量、结合强度和摩擦学性能)和残余应力的影响,并概括了目前降低残余应力的途径.
关键词:
TiB2涂层
,
磁控溅射法
,
性能
,
残余应力
