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MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜

沈文娟 , 王俊 , 王启元 , 段垚 , 曾一平

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.015

采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长.由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV.

关键词: 金属有机化学气相沉积 , 光致发光 , ZnO

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