张定涛
,
李文彬
,
姚立红
,
郑云友
,
李伟
,
袁明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142901.0007
为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗,在2 200 mm×2 500 mm大尺寸玻璃上,采用正交实验设计,验证了功率、气压、反应气体和比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择比的影响关系,从而得到各膜层的最佳工艺条件.在Enhance Cathode Co...
关键词:
低耗
,
钼刻蚀
,
阴极耦合离子
,
试验设计
