林益波
,
赵天晨
,
邓乾发
,
袁巨龙
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.01.025
目的 验证介电泳抛光方法的有效性,研究电极形状对介电泳抛光方法均匀性、抛光效率和去除率的影响. 方法 选取直径76. 2 mm的单晶硅片为实验对象,进行传统化学机械抛光( CMP)实验和使用4种电极形状的介电泳抛光实验,每隔30 min测量硅片不同直径上的表面粗糙度以及硅片的质量,然后对测量的数据进行处理和分析. 结果 与传统CMP方法比较,使用介电泳抛光方法抛光的硅片,不同直径上的表面粗糙度相差小,粗糙度下降速度快,使用直径60 mm圆电极形状介电泳抛光时相差最小,粗糙度下降最快. 介电泳抛光方法去除率最低能提高11 . 0%,最高能提高19 . 5%,最高时所用电极形状为内径70 mm、外径90 mm的圆环. 结论 介电泳抛光方法抛光均匀性、效率和去除率均优于传统CMP方法.
关键词:
介电泳抛光
,
电极形状
,
单晶硅片
,
均匀性
,
表面粗糙度
,
去除率
