李忠厚
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宫学博
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郭腾腾
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马芹芹
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杨迪
表面技术
目的：探讨基片偏压对镁合金Ti/TiN膜层质量的影响。方法利用多弧离子镀技术,在不同偏压条件下,对镁合金先镀Ti再镀TiN,通过SEM观察膜层形貌,通过划痕测定膜基结合性能,通过电化学工作站对比AZ31镁合金与不同偏压镀膜试样的耐蚀性。结果偏压为200 V时,TiN膜层致密均匀且成膜速度快,膜层耐蚀性最好；偏压为200 V时,基体结合最好且膜层较厚,有较好的耐蚀性。结论镀Ti 膜时的偏压对随后镀TiN的质量有着显著的影响,以200 V偏压的工艺镀TiN膜层质量最好,膜层致密,成膜速度快,耐蚀性优良。
关键词:
镁合金AZ31
,
偏压
,
多弧离子镀
,
Ti/TiN膜层质量
